力晶2010年受惠DRAM价格谷底翻扬,第1季获利持续成长,日前正式导入63奈米制程技术,预计单颗生产成本可降至1.3美元,在NAND Flash产品技术上也有所突破。董事长黄崇仁指出,40奈米制程产品将于下半年交货,未来将专注在特殊设计产品上,虽然NAND Flash技术落后三星电子(Samsung Electronics)1个世代,但这是台湾在NAND Flash产业上仅有的机会。
力晶日前接手瑞萨的NAND Flash技术,成为台湾少数拥有NAND Flash技术的内存厂,相较于三星、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等大厂都切入32奈米制程,力晶目前主货主力以70奈米制程4Gb产品为主,50奈米技术的8Gb产品已经完成开发。
黄崇仁表示,最新1代的40奈米NAND Flash技术制程预计于下半年量产出货,未来会针对特殊型的产品规格为客户量身设计,届时和三星之间的技术距离就只差1个世代,这是台湾发展NAND Flash市场唯一的机会,未来不会因为DRAM价格大涨赚钱了,就放弃NAND Flash技术的开发。
在代工业务方面,黄崇仁也是强调,会持续支持代工客户,不会因为标准型DRAM利润变高,就把产能都调拨给标准型DRAM,而不理会利基型内存的客户,对于钰创、晶豪、力积等利基型记! 忆体设计公司的支持度不变。
在标准型DRAM制程技术上,力晶日前正式从65奈米制程跨入63奈米制程,预计生产成本可再降低20%,然对于45奈米制程进度,黄崇仁则是保守表示,ASML的浸润式微米机台设备(Immersion Scanner)持续递延交货,都优先供货给三星和台积电等大厂,其他DRAM厂普遍面临没有机台转进制程的问题。
黄崇仁表示,现在DRAM产业正经历5年1次的个人计算机(PC)大换机潮时代,下半年PC市场需求会相当强劲,但DRAM下半年产能相较上半年而言,增加幅度相当有限,之前曾说过不希望DRAM市场是有缺货的状态,只要吃紧就好,但以现在情况来看,缺货不是不会发生。
黄崇仁进一步表示,目前有3个因素造成DRAM产业供给吃紧,第1是全球新产能增加有限,各厂都是倚赖制程微缩来增加出货量,第2是刚刚提到的ASML机台缺货问题,第3是PC换机潮和智能型手机对于内存容量增加所致。
黄崇仁表示,目前价格维持在3美元附近,是相当合理的= 位,再涨上去对终端需求也不是好事,现在算是近年来DRAM产业价格最稳的时候,预计这样的好光景可延续至2011年。