力晶快闪记忆体布局报捷 40奈米产品送样中

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-01 08:37
力晶(5346)本业转盈之余,储存型快闪记忆体(NAND Flash)布局也有新方向,以自有40奈米技术生产的16Gb晶片迈入送样,同时结束与日商瑞萨(Renesas)快闪记忆体合资事业,未来力晶将自行在NAND Flash业界闯荡。
力晶表示,目前DRAM本业状况非常不错,NAND Flash技术也有重大突破。力晶从90奈米制程之后自行开发NAND Flash制程,目前已拥有超过445项专利50奈米8Gb以下及70奈米4Gb晶片已量产,40奈米16Gb产品迈入送样阶段。
力晶多年来已投入超过75亿元,成立500人研发团队完成NAND Flash自有技术开发。考量DRAM与NAND Flash可作产能调配,且比特殊型DRAM需要更大产能,可达到大量活化产能的目的,未来公司仍会积极在相关领域布局。

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