瑞萨淡出! 力晶决定延续Flash产品技术开发

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-01 08:16
日本半导体大厂瑞萨科技 (RenesasTechnology)确定结束Flash事业,与力晶的合资公司「Vantel」也将解散,力晶决定把股份和技术买回,继续在台湾延续Flash产品和技术开发。力晶发言人谭仲民表示,不会放弃Flash产品线,会持续作下去。目前力晶Flash技术采用70奈米制程生产, 2010年下半将转进40奈米制程16Gb高容量产品,成为台湾唯一发展NAND Flash事业的香火。
2007年2月瑞萨和力晶在日本东京合资成立Flash芯片设计制造公司「Vantel」,公司资本额登记约3.6亿日圆,瑞萨和力晶持股比重分别为65%和35%,力晶是从90奈米制程开始技转瑞萨的Flash技术,但由于日本营运成本较高,加上追赶Flash技术的压力大,瑞萨决定退出Flash事业,在产品和技术上则由力晶接手。
力晶目前Flash产品制程主要是70奈米制程4Gb产品,专注于低容量市场,出货量和营收贡献都不大,50奈米技术8Gb产品已经完成开发工作,可望陆续出货,下半年Flash产品技术将演进至40奈米制程,可望进一步降低成本,并且将产品规格提升至16Gb容量。
力晶是目前台系内存厂,唯一有门路切进NAND Flash产业的业者,但目前NAND Flash产业的竞争对手都实力雄厚,被三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)和英特尔(Intel)等大厂占据,2010年都要转进32奈米和25奈米制程,未来力晶在技术的追赶上相对辛苦。
内存业者分析,由于DRAM价格已从2009年1颗0.8美元涨到1颗3美元价位,力晶以65奈米制程生产,甚至转进63奈米,成本可降至1.5美元以下,几乎是卖1颗赚1颗,现有产能用来生产DRAM芯片,利润已相当高,除非NAND Flash技术能快速提升以降低成本,否则力晶短期内大幅增加NAND Flash产能的机率不高。
2009年在台湾内存整合期间,力晶曾经以TFC(Taiwan Flash Company)计划和TIMC一别苗头,TFC就是以NAND Flash作主轴,惟后来整合案不了了之,力晶内部则决定持续做NAND Flash产品的开发,以平衡DRAM应用过渡集中于个人计算机(PC)的趋势。
谭仲民表示,未来力晶会持续开发Flash产品和技术,Vantel相关业务以都转移到力晶,力晶在冲刺DRAM业务之余,不会放弃Flash业务。

 

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