南韩内存大厂三星电子(Samsung Electronics)宣布推出超高容量的32GB内存模块,加上其低功耗的特性,此产品将瞄准服务器市场,预计下个月开始大量供货;三星也宣示下半年会将DRAM制程技术推进至30奈米制程世代,以此进度推算,三星的制程进度再度领先进争对手1年,并拉大与台系DRAM厂的距离。
相较于美光(Micron)和尔必达(Elpida)2010年分别要进入50奈米和45奈米制程,三星已宣布40奈米制程量产,且下半年要进入30奈米制程,足足比竞争对手领先1年之久,日前更宣布要以40奈米制程的技术进军服务器市场,抢占个人计算机(PC)以外的商机。
三星内存部门董事长暨总经理Soo-In Cho表示,自从2009年7月推出40奈米世代的DRAM产品后,在短短10个月内,三星已具备业界中最广泛的40奈米DDR3内存解决方案组合,包括PC和服务器等应用,有效强化在业界的竞争优势。
三星宣布的推出32GB内存模块,采用40奈米制程4Gb容量的DDR3芯片。这是继2009年3月三星推出50奈米世代2Gb容量产品,且应用在16GB RDIMM模块之后,事隔1年再推出的新产品。
三星指出,透过搭配双CPU和32GB模块的双路(two-way)服务器作用,1个服务器系统的内存可扩充至384GB,相较于之前1个服务器最大密度可达192GB,将达成双倍的密度,且相较于16GB模块的服务器系统,其所需的功率增加少于5%。
此外,使用6个32GB模块来代替12个16GB的DRAM模块以达成192GB的总密度,在双路服务器系统的DRAM的运作速度可提升33%,由每秒800 Mb增加到每秒1,066Mp,所需功率则减少40%。
三星表示,32GB的内存模块将于4月量产供货。再者,下半年会推出30奈米制程的DRAM芯片和应用模块,初期也会从PC市场应用切入。
日系DRAM大厂尔必达日前也宣布将在2010年第2季量产4Gb容量的DRAM芯片,因应整个市场对于高容量内存的需求,未来也可应用在PC和服务器领域上。