三星电子今日宣布已经开始提供业界上最高密度记忆体模组的样品予伺服器系统使用,此32 gigabyte (GB) 模组是专门设计给需要在低功耗状态下达成高密度与高效能的先进伺服器所使用。
三星电子记忆体部门董事长暨总经理Soo-In Cho表示,透过提供40奈米级的32GB记忆体模组,完成以往不能实现的系统容量等级,自去年7月推出40奈米级DRAM后,在短短10个月内,三星已经具备业界中最广泛的40奈米级DDR3记忆体解决方案组合,今年下半年迈入30奈米级制程,为高阶伺服器与PC应用,提供更多先进的记忆体解决方案。
Soo-In Cho说明,高效能的32GB RDIMM是由36个双晶片(dual-die) 40奈米级的4Gb DDR3晶片所组成,可以实现等同于或什至优于40奈米级16GB RDIMM的效能,并且不会增加任何功耗。
Soo-In Cho进一步说明,透过搭配双CPU与32GB模组的双路(two-way) 伺服器,一个伺服器系统的记忆体可扩充至384GB,相较于之前一个伺服器最大密度可达192GB ,此可达成双倍的密度,并且,相较于基于16GB模组的伺服器系统,其所需的功率增加少于5% 。
此外,使用6个32GB模组来代替12个16GB的DRAM模组以达成192GB的总密度,在双路伺服器系统的DRAM的运作速度可提升33%,由800 Mbps增加到1,066 Mpbs,而所需功率则减少40%,而32GB RDIMM预定在下个月开始量产。