NAND Flash 20奈米世代来临 SSD先受益

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-03 10:51
NAND Flash产业技术制程在2010年又往前迈进一大步,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)2009年下半刚推出32奈米制程,2010年开春就宣布要分别跨入27奈米和26奈米制程,部分原因是受到同业美光(Micron)宣布跨入25奈米制程的刺激。业界认为,32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。
半导体产业追求制程微缩的脚步永不止息,制程微缩代表成本结构,厂商若不小心在其中某个世代滑跤跌倒,必定影响公司未来的竞争力,因此NAND Flash业者在新春即急着宣布2010年跨入20奈米制程的进度,让2009年大家汲汲营营的32奈米世代沦为过渡命运。
回顾NAND Flash大厂过去的竞争轨迹显示,在2007年前,三星和东芝的制程技术互有领先,美光和英特尔的IM Flash阵营是在当年度50奈米世代才追上竞争对手的脚步,而IM Flash阵营真正一炮而红的成名之作,是2009年量产的34奈米制程,之后摆脱三星和东芝的缠斗,在技术上一路领先。
在20奈米制程世代来临后,NAND Flash每单位成本持续降低,或许消费者会质疑,现在8GB或16GB的快闪记忆卡记忆体容量已经相当够用,NAND Flash技术的积极制程微缩和降低成本,对于消费者真正的贡献意义不大。其实,20奈米制程世代的来临,真正受益的会是SSD市场,并非现有的快闪记忆卡和随身碟市场。
2009年SSD因为价格太高因素,被传统硬碟打的落花流水,市场即预期40和30奈米世代的NAND Flash晶片成本结构,无法让SSD应用普及,唯有等到20奈米世代来临,再度驱动SSD每单位的价格下滑,SSD应用才有绝地大反攻的机会。
目前很多低价电脑开始尝试再回头导入SSD应用,除了看好NAND Flash成本有机会下滑外,关键零组件技术不断前进,也是促使SSD应用再度东山再起的原因之一。
SSD的优点包括高速、散热快、耗电低、耐震、低噪音等优点,虽然无法取代所有的笔记型电脑市场,但足以取代部分的特殊型消费者的需求,SSD因为上述特性使然,已在伺服器和工业电脑市场上被广泛应用,推出这些产品的厂商不在乎多付一些价格,但愿意换得更好的执行效率。
整体而言,NAND Flash产业技术不断演进,2010年已开始向20奈米制程叩关,但技术进入20奈米之后,良率和技术门槛也更为艰难,现在各厂都是宣示性地表示将量产,但实际量产之后是否能如预期顺利,值得进一步观察,若不慎在20奈米世代失利,可能会面临被洗牌出局的命运,因此现在全球4大NAND Flash阵营态度都相当谨慎,亦步亦趋做好制程微缩的准备,也积极乐观看待SSD产业的未来。

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