三星,海力士下半年量产30奈米以下NAND闪存

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-11 11:09

  南韩记忆体大厂三星电子,海力士分别宣布各别将以27奈米,26奈米制程,于2010年下半量产的NAND型快闪记忆体。
  加上英特尔与美光于2月1日表示其合资企业IM闪存Technologie采用25奈米制程制造的8G的NAND型闪存已经送样,将于第2季开始量产,3大厂商将率续跨入30奈米以下制程。 
  海力士于2009年9月推出32奈米快闪记忆体后,在6个月内在制程上更往前1步。该公司表示,新的26奈米制程的生产力将较32奈米制程倍增,成本也将大幅降低。
  海力士将利用26奈米制程制造的64GB的闪存型闪存,64GB的的容量可以储存16万首歌曲,40部电影,以及400个年份量的日报。
  海力士还指出,藉由采用降低噪音的技术,最终可以将的NAND型闪存的制程推入10奈米。为了维持竞争利,海力士预计投入1兆韩元(约8.59亿美元)的资本支出以增加产能。
  全球第1大记忆记厂商三星则表示,该公司已经于2009年10月完成27奈米制程的研发,计划于第2季开始量产。

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