Hynix 采用24纳米技术生产Flash

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-02-10 09:57

    南韩记忆体晶片大厂Hynix Semicondctor Inc. 9日表示该公司将从7月起开始采用26奈米制程技术生产64 gigabyte NAND型快闪记忆体(Flash)。 Hynix研究中心副总Park Seong-wook指出,26奈米制程生产效率较较30奈米多出将近一倍。

    Hynix Semiconductor在去年12月表示,2010年度资本支出目标将调高至2.3兆韩圜。 Hynix执行长Kim Jong Kap上个月表示,今年底前NAND Flash产能将提升近一倍,预料快闪记忆体供需将保持平衡。 

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