DRAM产业景气回春,各厂投片量增加,在价格上涨且产出增加下,2009年第4季全球DRAM厂营收成长皆超过40%,南韩大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合计全球市占率超过50%;台系DRAM厂2010年加速转进50奈米制程,也准备进入40奈米制程,三星2010年则将大量转进40奈米,准备增产30%,预计2010年全球DRAM位成长率高达60%。
三星公布2009年第4季财报营收和获利皆表现出色,半导体部门营业利益增加21%,2010年第1季目标是强化50奈米和40奈米制程的转进,以求降低生产成本,并且维持新产品DDR3领导地位。
市调机构统计,2009年第4季全球4大阵营三星电子、海力士、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的市占率分别为31.7%、21.6%、19.4%和12.2%,其中三星市占率小幅减少,美光和尔必达市占率呈现增长,4大阵营单季的位成长率分别为18%、12%、30%和25%,而台厂2009年第4季的市占率也因为增加投片量而成长。
2010年台系各厂都积极转入50奈米制程,甚至是准备进军40奈米制程,试图把2009年失落的制程微缩进度补上来,包括南亚科、华亚科、力晶、瑞晶都宣布2010年导入40奈米,华邦也宣布2010年40奈米制程不会缺席,将! 会投入资源建立40奈米技术的团队,显示台厂在制程微缩领域上的企图心。
南亚科和华亚科2010年第1季将进入50奈米制程,预计50奈米成本效应会在下半年出现,第2季也会开始试产42奈米制程,42奈米效应会在明年显现。力晶和瑞晶也将在第2季导入45奈米制程,华邦在绘图卡内存上与尔必达合作,但40奈米世代是否会与尔必达携手,仍进待进一步观察。
然相对之下,三星预计2010年40奈米技术可进入量产,利用40奈米再降低生产成本,同时也将转入30奈米制程世代,再度拉大与竞争对手的技术距离,也持续保持技术领先的地位。