华邦电:本季乐观 看好Mobile Ram和Nor成长

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-01-31 22:10
华邦电(2344)于29日召开法人说明会,总经理詹东义表示,本季营收以及是否持续获利,看法“乐观”,在四大核心产品线的部分,看好行动记忆体 (Mobile Ram)和Nor flash的成长动能,而利基型记忆体(Specialty DRAM)可望于淡季中维持正常水准,绘图卡用记忆体(Graphic Ram)中的GDDR3产品,则将于本季正式出货。
华邦电在2009年下半年时,自有产能已达到90nm月产能3.2万片的水准,2010年1月起已扩充至月产能3.4万片,而不只投片提升,詹东义表示,也要求在制程上的推进,其中在标准型记忆体DRAM预计达到以65nm制程1.6万片/月的水准,而flash在4月时希望可达到90nm月产能 6000片。
詹东义表示,华邦电不会再循过去的模式,大幅的扩充产能,而拿替别人代工DRAM来填产能,而是“求精不求多”,专注于核心四大记忆体业务,毛利率也较佳,而多余产能还可以用DRAM来做弹性调配。
华邦电今年资本支出预算为67亿元,资金用途包括扩充产能以及制程推进,另外,华邦电也决议在今年投入资金以及人力在4Xnm的制程推进上,以维持在DRAM以及利基型记忆体的成本竞争力,但目前要采用何种技术来源的方案则未定。
然在法人关心今年资金来源的部分,华邦电表示,公司去年即有陆续处份短投股票达逾20多亿元,今年也会陆续处份,而子公司新唐(4919)拟上市,华邦电也会陆续有释股的动作,另外,公司去年在产业艰困时也成功募得37亿元的联贷案,今年银行团对产业更具信心,公司在贷款/发行GDR/CB的条件也较佳。
而在四大核心产品线的业务部分,在利基型记忆体,今年将陆续转入65nm,毛利率以及市占持续持升;在Mobile记忆体,主要包括Pseudo SRAM以及Low Power DRAM,华邦电Pseudo SRAM已攻入全球两大手机MCP厂供应链,成长性佳,而Low Power DRAM目前市场上虽然是三星以及Elpida着墨较深,但华邦电也积极切入,今年将有65nm产品开出。
在Nor flash的部分,华邦电主要攻应PC/MB/NB、PC周边、TV等,未来在手机市场也不会缺席;在Graphic DRAM部分,华邦电已于第四季正式量产70nm GDDR3产品,预期将于第一季出货,65nm GDDR5预期第一季开始试产,华邦电表示,公司拥有自有晶圆厂弹性制造与先进制程技术,未来该产品将以专业代工与自有品牌销售的商业模式,即时满足客户需求。

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