瑞晶DRAM制程技术师承日系DRAM大厂尔必达(Elpida),2009年以65奈米制程技术为主,2010年第1季导入63奈米XS版本技术,先转旗下12吋晶圆厂8万片中的2万片到63奈米XS版本,预计在第2季开始导入40奈米制程,这也是尔必达在50奈米制程大战缺席后,誓言追上三星电子(Samsung Electronics)技术的秘密武器。
随着市场需求由DDR2转移至DDR3,目前瑞晶投片也快速转到DDR3,将全数以1Gb容量DDR3投片,预计3月产出可全数转为DDR3晶片,预计在40奈米制程,之后导入2Gb容量DDR3,届时市场对于2Gb容量产品需求也较成熟。未来尔必达技术持续朝38奈米和32奈米制程做技术演进,前者由尔必达主导研发,和45奈制程同一个世代,后者是由瑞晶主导研发,未来将采双研发团队制度,以加速新制程技术的开发。
瑞晶和尔必达2010年第1季末将成立研发中心,从40奈米4F2技术切入,预计投入8,000万美元,分2阶段投入,预计建立80人研发团队,初期团队人数约40~50人。瑞晶预计2010年的位元成长率约20~30%,但2011年40奈米进入大量产期,预计位元成长率相当具爆发性,可达100%水准。