Hynix计划今年底前将NAND Flash产能提升近一倍

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-01-18 16:12
彭博社报导,南韩记忆体大厂Hynix Semicondctor Inc.执行长Kim Jong Kap 18日在接受专访时表示,该公司计划在今(2010)年偿还超过1兆韩圜(8.88亿美元)的债务,同时还将进行必要投资。他表示,目前Hynix约有7兆韩圜的有息债务。
Kim预期,今年记忆体产业很可能将因全球经济复苏而再度出现供应短缺的情况;该公司希望能增加在DRAM市场的占有率。Kim并表示,2010年第1季DDR3将取代DDR2成为内存产业的主流产品,同时该公司计划在今年底前将NAND型快闪记忆体(NAND Flash)产能提升近一倍,预料今年快闪记忆体供需将保持平衡。
外电报导,半导体业龙头厂商英特尔(Intel Corporation)执行长Paul Otellini于美东时间1月14日美国股市收盘后在财报电话会议上表示,10-12月需求主要反映所有地区、产品的强劲趋势,其中笔记型电脑需求尤为强劲。他并表示,企业对PC的采购呈现缓步复苏,主因新硬体以及Windows 7的评估完成引发正常的设备部署趋势。
英国金融时报(Financial Times)曾于1月12日报导,科技市调机构Gartner发表研究报告指出,今(2010)年组装PC的成本将会攀高,为6年来首见,主要是受到部分关键零组件短缺的影响。Gartner表示,自2000年以来PC半导体零组件成本平均每年下降7.8%,但今年却料将年增2.8%,主要是受到DRAM价格预期将大增23%、液晶显示器价格也将因短缺而上升约20%的影响。其他也呈现短缺的PC零组件包括硬碟与光碟机。
根据研究机构iSuppli资料,2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%,落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%,
此外,根据南韩研究机构调查,2010年全球个人计算机(PC)需求将成长16.4%,受惠个人计算机需求回升,海力士可望缴出2006年以来最佳的年度获利。金钟甲表示,2010年内存产业表现将相当好,很多因素导致需求增加,然供给的成长幅度有限,将导致整体产业供不应求。
科技市调机构Forrester Research 1月12日发表研究报告指出,预期2010年全球科技业资本支出料将年增8.1%至1.6兆美元,远优于2009年的年减8.9%。其中,以美元计算,美国科技业支出将年增6.6%至5,680亿美元,欧洲科技业支出则将年增11.2%。此外,2010年全球软体相关支出料将成长9.7%,PC设备相关支出将成长8.2%,而通讯设备相关支出则将上扬7.6%。
 
 

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