海力士(Hynix)前身为现代(Hyundai)及乐金电子(LG Electronics)在1999年亚洲金融风暴过后,将其各自DRAM业务部门合并成立的公司,在2001年改名为海力士,但之后因为负债累累,由银行团接管经营权,在韩国企业组织重整促进法(Corporate Restructuring Promotion Act)下,进行企业重整,并且重新聚焦产品线,分别于2000年、2001年将通讯部门及面板部门分割,定位为生产存储器产品厂商,旗下产品线为DRAM和NAND Flash 2大产品线。
海力士近5年来营收高峰落在2007年,年营收达66亿美元,之后受到存储器景气波动,但年营收也都介于40亿~50亿美元之间。目前DRAM和NAND Flash 2大产品线营收比重介于73。
海力士在全球DRAM市场的市占率超过20%,位居全球第2,仅次于三星电子(Samsung Electronics),而在NAND Flash市场上,过去原本都是全球三哥,仅次于三星和东芝(Toshiba),但之前海力士因为制程转换不顺之故,因此NAND Flash技术延宕,且8寸厂大量退役,因此产能开始下滑。
再者,又遇上美光(Micron)和英特尔(Intel)的IM Flash联盟来势汹汹,快速转进34奈米制程,因此在2009年第3季全球NAND Flash市占率被美光赶过,退居至全球第4,英特尔市占率也相当贴近海力士。
海力士目前主力制程为41奈米制程,而最先进的32奈米制程已进入量产,这是海力士2010年大力扶植的技术。在DRAM市场上,2009年海力士领先尔必达(Elpida)和美光,转进50奈米制程,2010年更积极转进40奈米制程,追求成本下降。