尔必达、瑞晶在台成立研发中心

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-01-06 10:36
瑞晶与尔必达(Elpida)宣布在2010年第1季成立技术研发中心,合作开发下世代40奈米4F2制程技术,未来尔必达在标准型DRAM上的技术研发重心,将逐渐由日本广岛移往瑞晶;瑞晶总经理陈正坤也表示,此举为宣示技术扎根台湾的意义。此外,瑞晶计划在第1季公开发行,为上市柜挂牌暖身。
瑞晶目前开始试产65奈米XS版本,预计第1季可量产,同时瑞晶也正式宣布,虽然错过50奈米制程技术,但2010年将一举导入40奈米6F2制程技术,届时会视整体记忆体景气状况,在40奈米6F2技术和65奈米XS技术2者做调整,若终端需求强劲,会增加40奈米6F2技术比重,以期能增加DRAM产出,赶搭DRAM市场回春的列车。
瑞晶的40奈米6F2制程技术源自于母公司尔必达,尔必达的此制程技术已于2009年底在广岛厂完成试产,2010年目前是在13万片的12吋晶圆产能中,有50%比重导入40奈米6F2技术。尔必达的制程技术演进过程分别为65奈米S技术、65奈米XS技术、40奈米6F2制程技术、40奈米4F2制程。
瑞晶宣布与尔必达合资成立研发中心,是从40奈米4F2制程世代进行合作。陈正坤指出,研发中心预计分为2009、2010年两阶段投资,2009年将投资3,000万~5,000万美元,2010年投资3,000万美元,合计总共要投资8,000万美元。此外新研发中心人员约80位,尔必达、瑞晶和力晶各有20~30名员工加入。
陈正坤指出,在台湾成立研发中心,目的是结合台日双方资源以加速新制程的开发,且借用台湾研发人员的长才,落实技术深根台湾。此外,未来力晶也将共享导入40奈米4F2制程技术。
陈正坤表示,未来尔必达阵营的技术目标,就是在同世代的机器设备之下,尽量增加产出,且沿用现有的设计法则,从6F2进阶到4F2技术,未来演进至40奈米制程技术后,目标是生产2Gb的成本和1Gb一样,藉由容量成长1倍但成本维持不变下,抢占DRAM市场。
此外,瑞晶也计划在2010年挂牌上市柜,预计第1季将办理公开发行,然挂牌前要先解决股权过于集中的问题。瑞晶2009年第3季转亏为盈,第4季受到DRAM价格反弹,获利相当亮眼,市场推估有20亿~30亿元水准,然以全年度来看,由于瑞晶上半年亏损仍高,因此整年度仍是亏损。
瑞晶2010年的资本支出约100亿~120亿元,预计一半以营运资金因应,另一半将向银行借款,如果DRAM价格一直维持在2.5美元附近的水准,预计2010年瑞晶1季可获利超过30亿元,届时就不用向银行借款。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多