DRAM产业在制程微缩竞争白热化!瑞晶与尔必达(Elpida)宣布,尔必达将在瑞晶设立研发中心,预计分2年投资15亿元至20亿元,共同开发下世代40nm4F2技术,不仅有技术生根意涵,瑞晶可望因此跳攻40奈米制程,每片12吋晶圆产出将逾1,200颗。
瑞晶总经理陈正坤、尔必达董事兼DRAM技术部长五味秀树共同召开记者会,尔必达将在瑞晶设立技术研发中心,包括力晶、尔必达等均会借派相当成员,进入该技术研发中心,估计2年的投资金额达5,000万美元至8,000万美元,合新台币约15亿元至20亿元,尔必达也宣示,未来有一半以上的产品会以40奈米为主,而该公司的40奈米制程是历代微缩制程中,最顺利的一个世代。
陈正坤说,瑞晶成立之初,以70奈米1GB的产品切入市场,去年则以65nmX制程切入DDR2、DDR3,DDR3的投片量本月已经达70%,估计今年3月开始,瑞晶将转进40奈米2GB DDR3,每片12吋晶圆的产出量将从1,150颗提升至超过1,200万颗。
瑞晶预估在今年导入40nm6F2制程,8万片产能预计在年底之前转进2GB DDR3,如果市场需求不如预期,则先调拨一半产能,其余部分使用65nmXS制程,该制程的晶片尺寸与其他同业的50nm相同,技术将因此保有领先优势。而尔必达的广岛厂也已经在2009年底完成40nm4F2试产,预计13万片产能今年将先导入一半。
陈正坤预估,今年位元成长率预估达30%,然2011年相对于今年,则可望有100%成长。瑞晶去年度资本支出为2亿美元,今年在跳攻 40奈米之下,估计资本支出将达3.8亿美元,合新台币约120亿元,制程转换的投资仅需50奈米制程的一半,至少一半可自行筹资。

