全球NAND Flash产业即将在2010年进入TLC(Triple-Level Cell)元年,内存厂纷进入备战状态,然近期却传出韩系大厂TLC芯片质量不稳定,遭客户退货事件,控制芯片业者表示,这次TLC芯片出货都还没放量,就已传出瑕疵事件,TLC芯片稳定度再度较MLC(Multi-Level Cell)下降,未来控制芯片业者恐怕有得忙,不过,毕竟TLC芯片还在起步阶段,难免有些技术不兼容之处,应再等待3个月的测试期,届时再来检视TLC芯片表现。
韩系内存大厂TLC芯片已宣告量产,但目前尚未供货给台系模块厂,台厂仅拿到试产样本,正与控制芯片业者紧锣密鼓合作,预计2010年第1季开始导入终端产品,至于先行拿到第1批TLC芯片试产产品的美系模块厂及大陆业者,却传出TLC芯片有瑕疵,遭到美系业者退货事件。
控制芯片业者指出,TLC芯片才刚要萌芽,NAND Flash大厂、控制芯片和系统业者3者之间,难免要经历磨合阶段,中间过程难免有一些小瑕疵出现,说退货实在太沉重,实际上TLC芯片还未大量出货,台系模块厂亦还未正式拿到货。
事实上,控制芯片业者在经历SLC(Single-Level Cell) 转换至MLC技术踢到铁板,这次业者在转至TLC过程都特别谨慎,深怕重蹈覆辙,更担心届时无法厘清是NAND Flash大厂或是控制芯片业者的责任。
就控制芯片业者而言,目前各家支持度都逐渐成熟,只待NAND Flash大厂大量供货给模块厂,控制芯片业者即可大展拳脚,但这次TLC芯片出货都还没放量,就已传出瑕疵事件,TLC芯片稳定度再度下降,未来控制芯片业者恐怕有得忙了。
尽管TLC芯片传出退货事件,但内存业者认为,毕竟TLC技术刚起步,盼望市场能给予多一些时间,再来对此技术下定论,否则一开始客户纷对TLC芯片避之唯恐不及,对于NAND Flash产业发展并非好事,2010年「TLC元年」确定来临,市场势必会经历阵痛期,但TLC芯片终究有成熟的一天。
模块厂则表示,2010年会进入TLC大量期,但因为TLC芯片被定义在低价市场,因此,不会影响高阶或固态硬盘(SSD)产品线,若TLC芯片用在快闪记忆卡产品,顶多用在Class 2等级,但因东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)TLC芯片较早推出,技术成熟度高,此阵营TLC芯片将可用于Class 4等级快闪记忆卡。
模块厂认为,2010年TLC芯片是东芝和三星电子(Samsung Electronics)之间的战争,东芝这一次抢得头香,在43奈米制程就进入TLC世代,三星则是后发先至,以32奈米制程量产TLC芯片,预计TLC芯片会在小型记忆卡掀起热潮,价格相当具竞争力,可望激发出市场买气。