MLC教训殷鉴不远 TLC要更谨慎

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-29 08:19
当年SLC(Single-Level Cell) 技术转换至MLC(Multi-Level Cell)技术的惨痛教训仍历历在目,这次控制芯片业者都更加小心了!每次的制程转换、技术转移,对于NAND Flash大厂或是控制芯片业者而言,都是1次洗牌战,唯有跨过试炼,才能在下一轮的竞赛中生存,控制芯片业者资本小,技术门坎高,不小心失足跌倒,很容易被排除在下世代技术之外。
SLC技术转换至MLC技术过程中,东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)阵营打了个胜仗,当时东芝阵营领先量产,速度比三星电子(Samsung Electonics)整整早了1年,而在控制芯片端的支持上,业者也是人仰马翻,让内存模块厂相当头痛。
控制芯片业者常开玩笑表示,以前研发SLC芯片时,只要吃1颗阿司匹林,到了MLC技术,要吃2颗阿司匹林,现在TLC技术更难,NAND Flash芯片的质量更差,要花更多心思来强化控制芯片的能力,设计IC业者要吃到3颗阿司匹林才能止头痛。
过去NAND Flash大厂很爱对外宣示TLC技术的进度,且灌水的成分居多,控制芯片业者听了都是冷汗直流,因为只要NAND Flash芯片有问题,彷佛都是控制芯片的错,内存模块厂的产品被退货,控制芯片老板还要去磕头陪不是,也难过NAND Flash大厂再对外说TLC技术有多厉害时,控制芯片业者只能私下猛消毒「还没这么快好!」
TLC芯片与MLC芯片相较,成本大幅下降,但效能也同步递减,目前只能用在低阶的快闪记忆卡、小型记忆卡和随身碟上,TLC芯片还进不了高阶产品或是固态硬盘(SSD)的大门,但对于低价产品而言,有机会在TLC芯片的推波助澜下,再掀一波出货高峰。
东芝在43奈米制程技术上,领先推出TLC芯片,而三星虽然落后,但在32奈米世代再度地扳回一城,三星的35奈米制程则是生产MLC芯片,但未来也会逐渐全数转进32奈米技术,目的在于全面性地攻占小型记忆卡市场。

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