十一月初DRAM价格创下波段高点,进行小波段的整理后,在年底库存调整近尾声与农历春节前的拉货即将展开下,DRAM与NAND Flash在美光交出亮丽财报后大涨带动下,再次发动攻势,且以美光联盟南科、华亚科、福懋科为攻击主轴。
一○年DRAM肯定好
若将资本支出占营收比重做比较,○九年DRAM资本支出占营收比重已降至二一%,降至近五年新低,这将直接影响到明年的产出,而即使二○一○年资本支出成长占营收比重上升至二五.五%,亦在低水位,依然处于疗伤年。
以这样低水位的资本支出,能做的大概只有买微缩技术的设备了,大幅扩充产能的机会不高,由一九三奈米进入六五奈米光源之后,利用曝光机的光线波长降低来微缩制程已经不够用,必须运用水为介质的浸润式微影技术来解决。
如果今年第四季订五○奈米以下的浸润式微影设备,由交货到能量产也是明年下半年的事了,所以明年的DRAM供给大概就是眼前所见的量,也因此使得DDR3价格只回文件不到一个月就回升了。
今年初有钱购入设备的厂商现在开始享受成果了,第四季来三星已经开始进入四六奈米生产,DDR3成本只有○.九美元(不含后段),远低于其它厂商,至于南科、华亚科在投资五八奈米制程后,成本下降到一.二美元,比七五奈米降低四成。
而台湾DRAM制造商部分,二○一○年只有台塑集团的南科(2408)、华亚科(3474)还有余力转换制程,为了进入五○奈米制程,今年两公司资本支出合计约二五七~二六七亿元,明年合计增加至六四○亿元新台币,其中华亚科占七成。
除设备供应紧俏、资本支出谨慎外,世代交替也让DRAM价格趋强,预期一○年第一季PC采用DDR3比重将高达六成,正式成为市场主流,下半比重将挑战八○%以上,在世代交替下,将会使得进入制程推升落后厂商失去竞争力,反之,推进速度稳健的厂商将大大受惠。
而尔必达联盟在这一次的制程转换与产品转换上都明显落后,也因上述因素,市场预期DRAM产业在一○年第一季将会淡季不淡,第二季将会是全年低点,第三、四季将会缓步上扬,南科、华亚科将是明年DRAM供需吃紧的最大受惠者,后段封装测试福懋科业绩将同步上扬。
NAND Flash应用续推升
其中南亚科今年积极进行制程转换,从原本奇梦达(Qimonda)的七○奈米制程转换至美光(Micron)的五○奈米制程,十月上旬结束奇梦达沟槽式制程的投片,目前大量转进美光的六八奈米,为五○奈米作准备,而首批五○奈米产品已试产成功,至于华亚科明年也会将旗下十三万片十二吋晶圆厂转换成五○奈米制程。南科和华亚科会是将是台湾最早转进五○奈米制程的DRAM厂。
在Nand Flash产业部分,近几年制程微缩过快,三星四○奈米转进三○奈米,美光一○年要进入二○奈米制程,在产量大幅增加之下,要靠需求来推升价格,预期手机、SSD、记忆卡将内建更高容量NAND Flash,一○年全球NAND Flash需求的位产出将比今年成八一%,将出现缺货。
预估明年的NAND Flash全年供需缺口将拉升至二%,但季节性因素仍会影响季度的供需缺口,不过价格的波动性将会趋缓,业者获利将反应制程技术提升的成本下降效益为主。
十二月下旬NAND Flash合约均价大致开平盘,但主流颗粒32Gb以及16Gb MLC合约均价则小跌约一%到五%,预期年底清库存后,一月份下游客户才会决定农历年前的库存回补需求量,即使NAND Flash供货商的新三X奈米制程技术及3-bitcell MLC产出量成长,NAND Flash价格走势都有机会持稳。
国内与NDNA Flash产业息息相关的都在模块厂商,包括威刚、创见、劲永,DRAM与NDNA Flash的比重调配弹性,是可以与产业共享成长的,此外群联虽然是控制IC厂商,但是模块的比重也相当高,业绩几乎与NDNA Flash价格同步,而公司目前对于产业的看法已经转趋正面。