DRAM产业 会甜二、三年

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-28 08:05
DRAM产业明年受惠商用计算机换机潮的带动,以无新增产能等有利因素下,预估,未来两三年产业都会呈现稳定的成长,DRAM厂可保有获利状态。
根据统计数据指出,明年DRAM厂资本支出于DRAM方面增加至78.5亿美金,较今年仅43亿美元左右成长达80%,然而78.5亿美元的资本支出仍不及2007年高点214亿美元的40%,仍接近2001~2003年DRAM谷底的低资本资出水位,预估DRAM厂在2011~2012年资本支出将成长至100至120亿美元左右。
以DRAM市场的规模及未来两年的成长动能,若DRAM的总资本支出如预计总和成长至100~120亿元,显示DRAM产出在未来两年成长稳健,配合计算机销售成长及其它DRAM应用成长,DRAM市场在2010、2011年将呈稳健走势,DRAM厂可维持经营获利。
从需求面来看,明年计算机销售总成长达13%,其中桌上型计算机仅微幅成长0.6%,全年销售预估1.2亿台;笔记型计算机成长可望达22.5%,全年销售量达1.6亿台;小笔电预估成长22%,总销量近3500万台。
台系DRAM厂方面,华亚科(3474)、南科(2408)在台塑支持下顺利增资及取得投资50奈米的资金,两家资本支出于2010年达18亿美元,加上力晶(5346)、瑞晶、茂德(5387)、华邦(2344)等台系厂2010年DRAM资本支出达28.7亿美元,略高于三星的26亿美元。
技术方面,华亚科、南科与美光合作下,明年将全力转进5x奈米,第四季可能少量投产4x奈米,其它台系厂则靠拢日系尔必达。尔必达在今年由于资金问题,无法投资5x奈米技术转进,但目前尔必达资金已到位,可于明年下半年加速转速4x奈米以降低成本。
力晶、瑞晶的技术转进仍跟随尔必达的技术转进,唯浸润式机台的移入将影响转进进度。茂德在尔必达加持下,下半年产能有机会达满载,华邦目前积极与尔必达商谈全面的技术合作计划,希望除了在绘图型内存的代工合作以外,将技术扩及标准型DRAM、行动内存及消费利基型DRAM。

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