12月下旬NAND Flash合约价持平 农历年前补货需求可期

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-25 08:05
12月下旬NAND Flash合约价持平开出,高容量32Gb和16Gb部分则是呈现小幅下跌,相较于过去传统淡季,2009年淡季表现的确相当有支撑。下游业者表示,原本大家都在期待年底NAND Flash价格大跌,好趁机低价吃货,但等不到价格回档,只好先进厂布局库存,加上各方都在期待农历年前有回补库存的行情,暂时可以纾解供给面因为制程微缩效应而加大的压力,使目前NAND Flash芯片和小型记忆卡价格都相当持稳。
模块厂认为,NAND Flash应用太贴近消费端,价格受到季节性因素影响相当大,每年底价格都会大跌,模块厂可趁机低价进些便宜的库存,但2009年状况则相当特殊,原本价格已经在高档的NAND Flash,年底价格回跌幅度其实不深,NAND Flash大厂也没有塞货压力,因此模块厂这次反而讨不到便宜。
下游厂分析,2009年欧美景气复苏速度慢,反而是大陆消费性市场独撑大局,因此传统欧美市场的季节性起伏被正式打破,因此NAND Flash价格不再出现大幅的波动,圣诞假期补货行情之后的淡季,也不像往年这么明显,价格回档幅度也不深。
最新统计显示,12月下旬NAND Flash合约价持平开始,高容量32Gb和16Gb芯片合约价则是小跌1~5%。目前买卖双方都相当清淡,各界也相当期待大陆针对农历年前的补货行情,能够在2010年1月正式启动。
在供给端方面,各厂较担心NAND Flash产业制程微缩进度太快,三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba) MLC型NAND Flash芯片要进入35奈米制程,追上美光(Micron)和英特尔(Intel)的IM阵营的脚步,而IM阵营也要再进入20奈米制程,在制程演进所产生的产出大增下,即使没有新产能贡献,全球NAND Flash产出仍是增加不少。
再者,2010年3-bit-per-cell架构的Triple-Level Cell(TLC)芯片供货比重大增,三星和东芝将在TLC市场互相角力,TLC架构的NAND Flash比Multi-Level Cell(MLC)架构成本低很多,也会使得价格有压力,这些都是NAND Flash供给端的最大变量之一。
整体而言,2010年NAND Flash市场供给增加,但终端需求也在智能型手机的带动下,呈现同步成长,因此供需角力战将越来越白热化。

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