南茂控告侵权 华东一审胜诉

半导体 中国闪存市场 Helan 2009-12-24 08:18
经过2年时间缠讼,2大封测厂南茂集团与华东科技的专利权之争一审结果出炉,由华东取得胜诉,南茂对此结果不服,拟再提起上诉。2家公司针对DDR2的球栅数组封装(BGA)封装技术专利有不同认知,除了南茂控告华东之外,华东也曾向智财局提出南茂专利无效之诉作为反击,然智财局裁定华东举发不成立。地方法院和智财局两造看法不同,看来华东和南茂的侵权之争还有得打。
南茂集团在2006年9月向华东及其子公司华东承启提出专利侵权告诉,经过2年多时间,一审结果出炉。在华东承启的部分,日前已判南茂败诉。
至于华东的部分,该公司23日宣布,包括百慕达南茂提起民事专利侵权诉讼,指侵害华东的专利第177516号「增进稳固及对位之芯片接合方法」,以及南茂科技提起民事专利侵权诉讼,侵害该公司第207627号「SOC封装过程」专利及第207525号「基板在芯片上之封装过程」专利等2大案件上,已皆由台湾高雄地方法院判定百慕达南茂科技和南茂科技之诉及假执行的声请驳回。
不过,在2007年底~2008年初,华东也曾提出反击,向智财局提出南茂集团关于DDR2的BGA专利无效之诉,范围达11项南茂专利。然而在2009年12月初,已由智财局针对其中2项专利做出华东举发不成立的裁定。
由上述仲裁单位的结果看来,显然两造看法并不一致。对于一审的部分,南茂表示,将在近期提出上诉。至于在智财局部分,仍有9项专利无效的案子还在进行,因此看来双方官司还有得打。
南茂于2006年在市场上取得由华东替华东承启封装代工的内存模块产品,认定华东涉嫌侵害南茂SOC封装过程及基板在芯片上封装过程专利。南茂指出,过去在DDR时代,采LOC导线架,用tape黏晶,技术是日立(Hitachi)开发,并采用日立的tape;如今进入DDR2,封装方式转进BGA,基于日立tape单价较贵,若改用银胶黏晶导电,会有沾黏、影响良率问题,因此南茂便与材料供货商Ablestick共同改良开发出具有两阶段特性,具有溶剂之热固性混合物,即俗称B-Stage Epoxy。
对于南茂控诉,华东认为,该公司已就DDR2封装专利支付权利金予Tessera,因此包括植球、打线、上胶等相关技术均在Tessera保护范围中,因此不认为有涉及南茂专利的情况。

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