全球景气渐渐回暖,美日两国的资本支出也告回升。日本半导体大厂东芝和尔必达欲妥善利用全球复苏,拟提高资本支出,另外,调查发现,预期美国2010年的研发支出也将上扬1.7%。
美国非营利研发组织Battelle Memorial Institute的报告显示,考虑通膨后,明年美国的研发支出预计上扬1.7%,至3,959亿美元。相较之下,今年美国的研发支出衰退3.8%,降至3,826亿美元,为2002年后首度年度研发支出下滑。
今年在美国和欧洲研发支出下降之际,中国和日本虽然速度缓慢,但亦能有正向成长。Battelle资深研究员格鲁伯表示,日本依然是全球第2大研发支出国,仅次于美国,但中国可能于2011年取代日本。
Battelle搜集广泛的政府和产业资料,编纂上述报告。报告指出,预估明年全球研发支出将成长4%,由2009年的1.11兆美元增至1.16兆美元。反观2008年的数据为1.12兆美元。
另据日经新闻报导,东芝和尔必达计划增加资本支出,加强半导体产能,缩短与全球半导体龙头三星电子的差距;预期三星电子2010年的资本支出,将超过4,000亿日圆。
东芝拟斥资1,000亿日圆,预计于明年初或稍晚,为与新帝合资的NAND Flash厂房,引进创新的生产设备。基于合资协议,新帝也将投入约500亿日圆,做为设备升级之用,该厂房的产能预估能提高40%。
另外,尔必达预计在2011年3月底止的1年,投资600亿日圆于广岛的DRAM厂,金额高于先前计划的400亿日圆。
受累于全球经济衰退,在今年3月底止的1年,尔必达亏损1,473亿日圆,而东芝的记忆体业务损失约1,000亿日圆,致使尔必达冻结兴建苏州厂的计划,且东芝也停止在日本兴建两座晶圆厂。