2009年第3季全球NAND Flash产业中,东芝(Toshiba)表现最为出色,再度拉近与龙头厂三星电子(Samsung Electronics)间的市占差距!根据市调机构iSuppli最新调查指出,东芝第3季的NAND Flash营收达13.63亿美元,不论是季增率或年增率上,成长幅度位居全球之冠,市占率也以34.6%紧追三星39.3%,其中东芝在3-bit-per-cell架构的TLC芯片技术领先,辅以平均售价(ASP)和产能的提升等因素,对于第3季都营运表现突出是功不可没。
全球NAND Flash市场经历2008年的惨烈的供给过剩、价格崩盘后,各家NAND Flash大厂开始节制扩产,多数不具成本效益的8吋晶圆厂也逐渐退役,NAND Flash价格遂于2009年初开始反弹,领先忆体产业中领先脱离困境,且长达1整年的时间都相当维持高价,而2009年NAND Flash产业的突出表现,更是超越全球整体半导体产业的平均成长率。
iSuppli统计显示,2009年全球第3季NAND Flash内存市场营收达39.4亿美元,较第2季31亿美元成长25.5%,其中三星电子市占率仍以39.3%领先全球,营收贡献为15.5亿美元,东芝受惠第3季NAND Flash营收贡献大幅成长至13.63亿美元,市占率以34.6%紧追在后。
除了三星和东芝两雄竞争激烈 ~,海力士(Hynix)则是持续盘踞全球三哥地位,市占率为10%,营收贡献为3.94亿美元,而IM阵营的美光(Micron)和英特尔(Intel)则以市占率7.7%和6.1%分别居于第4、第5,营收贡献分别为3.05亿美元和2.4亿美元。
综观东芝第3季在NAND Flash市场表现可以脱颖而出,除了平均售价提升、产能增加外,3-bit-per-cell架构的TLC芯片的技术领先,也进一步拉近与三星间的竞争距离,东芝43奈米制程的TLC芯片2009年领先量产,将NAND Flash产业推升至新世代,再度复制过去东芝在SLC(Single-Level Cell) 世代转MLC(Multi-Level Cell)世代的成功。
不过,三星也不是省油的灯,日前也正式宣布30奈米的32Gb容量TLC芯片也开始量产,颇有与东芝互别苗头的意味。而英特尔、美光和海力士虽也投入TLC芯片研发,但目前尚未量产,一方面也是各厂间的策略不同,并未一窝蜂投入TLC芯片行列。