NDL催生15奈米研发联盟 分享核心制程技术业者观望

半导体 中国闪存市场 Helan 2009-12-16 08:24
国研院奈米组件实验室(NDL)极力催生15奈米组件研发联盟,预计2010年中广邀台积电、联电、旺宏等台湾半导体大厂投入。NDL也藉由最新发表的奈米喷印成像(Nano-Injection Lithography )16奈米态随机存取内存(SRAM)芯片欲吸引台湾大厂目光,但据了解,台积电当前集中火力研发22奈米世代,并已锁定深紫外光(EUV)或多重电子束(e-beam)方案,对未来参与联盟若要共享核心制程技术则较抱持观望态度。
NDL近期发表全球第1个16奈米SRAM单位晶胞,未来若顺利生产1平方公分芯片面积可容纳逾150亿颗晶体管,约是目前45奈米芯片10倍之多。值得注意的是,NDL这款16奈米芯片主要的前段制程是透过奈米喷印成像技术(Nano-Injection Lithography),不需使用光阻及光罩,突破传统光学微影成像技术的限制。
这次与NDL共同发表芯片者也包括加州柏克莱分校电机系教授胡正明,胡正明过去曾担任台积电技术长一职,而NDL主任杨富量与实验室厂长黄健朝等人,过去也曾任职于台积电研发部门,加上所采用的奈米喷印成像技术也与台积电研发的电子束(e-beam)局部雷同,不禁让外界好奇台积电的参与程度。
据了解,目前台积电是与台大电机系等系所合作先进制程的前端研发,而在内部由台积电资深处长林本坚所主导的计划,则是选定不需要光罩的多重电子束(multiple e-beam direct-write)为次世代可能的解决方案;但也不排除未来与设备大厂如ASML合作深紫外光(EUV)方案,不过不论最终选择哪一种最为次世代奈米显影技术,关键要素仍取决于成本。
业者便指出,依传统方式推估,16奈米组件的开发费用将超过新台币300亿元,而建厂费用亦将高达1,500亿元,因此必须有扎实的先期研发来降低此技术与资本瓶颈所带来的投资风险,否则高昂的制造成本与建厂费用都将使16奈米组件世代变成遥不可及。
也因此由NDL希望催生的15奈米组件研发联盟更需要有国际大厂登高一呼,并期待像是台积电、联电、旺宏等代表性业者加入。目前旺宏在前瞻技术研究方面,已经进入65奈米世代,旺宏坦言,未来需要大厂投入不仅是端出技术能力,也需给予厂商足够的投资诱因,例如明显具有量产成本效益,旺宏对于联盟乃乐观其成。不过也有半导体业者指出,要打破业者之间彼此各行其是的藩篱并没有那么容易。
 
 

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