记忆体封测厂DDR3比重

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-14 08:00
记忆体产业逐渐由谷底复苏,半导体客户逐渐转换高阶制程,DRAM主流制程将由70奈米微缩到50奈米后,单片晶圆产出将增加80%。而颗粒规格也从DDR2在2010年迈向DDR3,DDR3时脉速度高达1,066MHz至1,333MHz,业者需要购买新测试机台,才能配合DRAM厂大量出货。封装颗粒数增加,DDR3测试时间自原先DDR2的400~500秒拉长至800~900秒,后段封测厂将是最大受惠者,也把DDR3视为2010年主攻重点。
综观现今记忆体封测业者,DDR3占DRAM出货比重至少20~30%,起步最早的力成已拉到30%,紧追在后的福懋科也有30%,华东科技目前也有20~30%。上述业者皆预期DDR3比重在年底应可达到40~50%水准,2010年底可望拉升到至少90%,而联测科技因客户结构,因此有80%比重为DDR3。
 
 
 

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