小摩:DRAM供给略紧态势一路延续至明年H1

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-12-13 11:00
摩根大通(JP Morgan)证券副总裁廖光河指出,DRAM属景气循环产业,通常其发展趋势都有一定的惯性,在历经先前2年多来的产业秩序整理后,今年下半年开始又有露出曙光的迹象,由于从明年度供需面来看,DRAM可能还是会趋紧,因此该产业有机会成为浴火凤凰,在明年加速的迈向复苏轨道。
摩根大通评估,明年全球记忆体市场(DRAM+Nand Flash)总产值将可望站稳400亿美元水准,较今年成长约11%。
此外,摩根大通也预估,明年全球DRAM厂商整体资本支出平均将较今年大幅成长约63%,同时在DDR3与DDR2价差持续缩减下,DDR3渗透率也将加速提升,且预期DRAM在每台PC当中,占整体IC元件材料成本的比重也会相对扩增。
不过,尽管DRAM产业看似整体资本支出已开始积极回温,惟廖光河认为,预期明年DRAM产业的资本支出重心仍将落在领导厂商身上,加上部份主要供应商厂房空间已属有限,扩建新厂需要较长的作业时间,因此明年度新增产出尚无法反应整个资本支出增加的情况,预期今年Q4供需持续略紧的态势,将一路延续至明年上半年。
另就Nand Flash应用而言,廖光河指出,预期随着Nand Flash储存容量的规格持续扩增,势必也将加速取代部份的传统硬碟市场,其中最被各方看好的Netbook应用,也持续加速扩量中,预期未来Netbook中的固态硬碟(SSD)需求用量将会占整体Nand Flash应用比重的五成以上。
不过,就现阶段来看,摩根大通也评估,随着Nand Flash储存容量的扩增,手机应用比重也仍在持续攀高,预期该应用明年占比将从今年的30%持续扩增至35%。
 
 

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