近期海力士(Hynix)又在NAND Flash市场活跃起来,2009年下半出货给下游模块和记忆卡厂数量将较上半年倍增。内存模块厂表示,过去海力士因面临制程瓶颈而减少供货,台厂为确保NAND Flash供货充足,转而支持美光(Micron)和英特尔(Intel)等美系阵营,然业者仍相当担心2010年NAND Flash市场会严重供给不足,这次海力士归队,让模块厂打了一剂强心针,未来可多一个货源管道,避免让三星电子(Samsung Electronics)掌控货源。
模块厂表示,原本相当担心2010年NAND Flash市场会供给不足,主要是因为智能型手机和固态硬盘(SSD)双双崛起,由于智能型手机内建内存容量从8GB、16GB到32GB,对于NAND Flash产能消耗呈倍数成长,至于SSD现在虽然气势大减,但2010年卷土重来机率相当高,若两者需求同时起来,恐怕会出现互抢NAND Flash产能状况。
不过,近期海力士重新加入NAND Flash市场,让厂商放心不少,之前海力士受到制程转换不顺影响,业界一度认为海力士会慢慢退出NAND Flash产业,让下游厂商相当忧心。由于海力士过去与模块厂关系紧密,若海力士退出市场,加上三星供货策略又以消费性电子大厂如苹果(Apple)、Sony等为重心,模块厂在货源供应上居于劣势,加上英特尔和美光出货量不大,一旦三星不再对模块厂供货,模块厂将出现断粮危机。
下游厂认为,随着海力士逐渐活跃,且供货量倍增,加上目前看来生产NAND Flash利润亦高于DRAM,因此,海力士会将重心放在NAND Flash产品线,这对下游厂是好消息,惟目前海力士主流制程为41和48奈米,虽然同步生产16Gb和32Gb产品,但市场需求量大的32Gb芯片相对不够,是美中不足。
另外,海力士NAND Flash制程转顺后,以目前手上现金有限情况下,必须要适当作产能分配,这亦代表未来产能配置不会只着重于DRAM,有助于改善DRAM产业供过于求情况,可说是一举两得。