由于DRAM厂的产能陆续开出,并将制程微缩至50奈米,颗粒规格也转换至DDR3世代,DDR3渐取代DDR2跃升主流地位,封装量和测试时间皆会同步增加,内存封测厂包括力成科技、福懋科技和华东科技皆提高2010年资本支出,多数将用来购买高速测试机台。封测厂普遍预期DDR3在2009年占DRAM的出货比重可达40~50%,2010年有机会迈向90%。
内存产业逐渐由谷底复苏,半导体客户逐渐转换高阶制程,DRAM主流制程将由70奈米微缩到50奈米后,单片晶圆产出将增加80%。而颗粒规格也从DDR2在2010年迈向DDR3,DDR3频率速度高达1,066MHz至1,333MHz,业者需要购买新测试机台,才能配合DRAM厂大量出货。封装颗粒数增加,DDR3测试时间拉长至800~900秒,后段封测厂将是最大受惠者,也把DDR3视为2010年主攻重点。
综观现今内存封测业者,DDR3占DRAM出货比重至少20~30%,起步最早的力成已拉到30%,紧追在后的福懋科也有30%,华东科技目前也有20~30%。上述业者皆预期DDR3比重在年底应可达到40~50%的水平,2010年底可望拉升到至少90%。
此外,为因应客户需求,封测厂也大举投资,2010年资本支出普遍较2009年大幅增加。力成董事长蔡笃恭自6月底法说会将资本支出自新台币30亿元调高到50亿元之后,由于市况优于预期,他于10月底法说会上再度调升到70亿元,主要用于Flash和DDR3的高速测试机台。
展望2010年,蔡笃恭说,力成在不必举债的情况下,以自有资金即可支应100亿元的资本支出,然而目前还没有明确的计划,DDR3高速测试机台应仍会是投资重点。
福懋科自9月随着客户转进DDR3,亦开始新增DDR3相关测试机台。展望2010年,福懋科目前初步规划资本支出金额为40亿元,比2009年的20亿元高出1倍,主要用于添购高速测试机台、扩充封装与LED产能为主。
其中在DRAM相关部分,该公司在上游主要客户在50微米制程生产DDR3比重逐渐提高,预计单月封装产能将由目前的7,500万颗在2010年底扩充至1亿~1.15亿颗。至于测试机台方面,福懋科目前拥有100台,主要供应给DDR2测试之用,DDR3测试机台预估至2010年底前将会添购5台高速测试机台。
华东随着DDR3需求攀升,也准备大展手脚。该公司总经理于鸿祺说,DDR3逐渐取代DDR2,现在DDR3占DRAM营收比重约20~30%,预估2010年第1季将可以增加至50%,年底将可以再拉升至90%的比重。
为此,华东2010年资本支出也暂订为30亿元,比2009年20亿元增加50%。该公司目前拥有高速测试机台(不含型号5593机台)约7台,计划2010年还会增加10台的规模;封装的月产能也将从6,000万颗,2010年底目标为8,000万颗。