南科欢庆脱离全额交割 跳空涨停 攻上26个月新高价

半导体 中国闪存市场 Helan 2009-11-05 10:58
DRAM价格持续攀扬,带动记忆体族群上涨,其中,南科(2408-TW)今(5)日正式脱离全额交割俱乐部,继昨(4)日涨停庆祝,今(5)日开盘再度跳空涨停,来到26.3元,创2007年 8月10日以来新高。
DRAM市场需求热络,甚至出现缺货情况,使DRAM价近期持续走扬,甚至传出DDR2颗粒价上看 3美元的消息,激励昨天DRAM股全面走扬,其中合约市场为主的南科、华亚科(3474-TW),11月合约价预期再涨20%,双双涨停作收。
南科因第 2季和第 3季每股净值均达 5元以上,今日正式脱离全额交割股行列,今日股价继昨日涨停后,开盘再度跳空涨停,来到26.3元。DRAM全额交割俱乐部,目前还剩下力晶(5346-TW)和茂德(5387-TW);现货价走扬下,力晶营运也大幅好转,但今天股价表现相对落后。
DRAM现货价自 7月中旬起涨至 9月涨幅已逾 84%,颗粒单价由1.05美元上涨至1.94美元,10月涨幅更高达 35%,DDR2 1Gb eTT颗粒价更突破 2美元关卡,一路直冲2.62美元,创近 2年新高价位。
一线DRAM大厂三星(Samsung;005930-KR)、海力士(Hynix;000660-KR)、尔必达(Elpida;6665-JP) 积极转进DDR3,预估第 4季DDR3产出比重约50-60%,DDR2颗粒明显减少,加上DRAM厂DDR2颗粒及现货商惜售,DDR2现货供给出现短缺,使现货颗粒价可能上看 3美元。
合约市场方面,10月DDR2高价成交部位直逼42美元,调查显示合约市场DDR2出现严重缺货,整体PC市场需求比预期好,10月合约价呈现很大落差,采购价格逼近现货价。

 

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