内存封测厂福懋科技受惠于DRAM和利基型内存订单增温，产能利用率持续攀高，目前已处于供不应求的热络局面，而模块和LED研磨接单也是络绎不绝，产能订单的缺口达20%。法人预期该公司第4季有机会比上季成长10%，为封测厂中成长力道最为强劲者。随着DDR3比重攀升，以及客户转进50奈米制程，封装颗粒数大幅增加，福懋科估计到2010年DDR3占DRAM出货比重将拉升到50%。
第3季DRAM在国际大厂陆续提升DDR3比重，降低DDR2生产比重，导致DDR2供不应求的状况，加上利基型内存需求提升，推升福懋科第3季封装产能利用率在95~100%，测试产能利用率在85~90%，模块代工产能利用率在90~95%。模块的产线状况也是接单不错，高于产能的20%，而LED研磨切割分类的接单状况亦大于开出产能的20%。整体而言，福懋科预期第4季封测产能依旧不足，产能利用率仍将维持在满载水平，预期第4季营收将比上季小幅成长10%水平。
福懋科认为，2010年各项产品线需求状况都会不错。目前产能状况供不应求，该公司预估在DRAM封装部分需求将递增，预期2010年底的需求量将为目前的1.5倍；测试部分因封装需求增加亦同步受惠，且转往DDR3及制程往50奈米发展均有助于测试 搢D。至于LED部分，该公司预估客户的MOCVD机台将会倍增，预估2010年月产能由目前的2万片增加至8万片。
随着DDR3世代来临，客户陆续自DDR2转进DDR3，包括南亚科将在第4季完成导入，而华亚科则于第4季开始导入，预期2010年中完成导入。在客户制程导入完毕后，以1G容量为例，颗粒产出量将会倍增，预计2010年底DDR3将占福懋科DRAM出货量的50%，远高于目前的20~30%。在测试部分，福懋科表示，未来测试机台将为投资主轴，在客户转进50奈米制程，以及DDR3逐渐取代DDR2的转换过程中，初期测试时间将会较过去明显增加，有利于提振测试平均单价(ASP)。
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