海力士半导体第三季度DRAM平均销售价格季比上涨26%,NAND闪存芯片售价季比上涨4%。
综合外电10月23日报道,海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.)10月23日表示,第三季度动态随机存取记忆体(dynamic-random-access-memory, DRAM)芯片平均销售价格季比上涨了26%,而第二季度上涨了20%。
该公司在一份声明中表示,7月至9月期间,该公司的NAND闪存芯片价格季比上涨了4%,而第二季度上涨了23%。
该公司表示,第三季DRAM芯片的位元成长率(bit growth)季比上涨12%,而NAND芯片的位元成长率季比上涨了5%。
在综合基础上,海力士第三季度营业利润率达到10%,而第二季度营业亏损率达到13%。