海力士半导体高层主管:11月DRAM合约价格可能将上涨

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-10-23 11:38
海力士半导体投资者关系副总裁表示,11月DRAM合约价格可能将上涨,但预计12月合约价格将稳定,此外,2010年该公司资本开支将超过1.5万亿韩圆。
综合外电10月23日报道,海力士半导体公司(Hynix Semiconductor Inc.) 投资者关系副总裁James Kim 10月23日表示,预计11月动态随机存取记忆体(dynamic-random-access-memory, DRAM)合约价格将上涨。
Kim 表示,“12月的需求依然不明朗,但预计12月合约价格将稳定。”
该公司表示,其第四季度DRAM芯片的位元成长率预计将以高个位数的比例上升,而其平均售价可能将以15%的幅度上涨。
该芯片制造商还表示,其2010年资本开支将超过1.5万亿韩圆,而2009年资本开支为1万亿韩圆。

 

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