记忆体模组大厂威刚(3260)董事长陈立白表示,预期明年DRAM与NAND Flash需求将会回复到2006、2007年之水准。而观察目前DRAM厂以及NAND Flash大厂的扩厂计画,明年将确定会出现供需缺口,而记忆体产业在低迷多年之后,从今年下半年起,看好未来两年将会进入多头格局。
陈立白表示,去年以来DRAM大厂仅有三星(Samsung)靠着汇兑收益出现获利,其他如海力士(Hynix)、美光(Micron)、尔必达(Elpida)等大厂最快都得到今年第三季或第四季才可望勉强获利。换言之,今年除了三星之外,几乎没有厂商有能力往下一个先进制程移转,多数厂商仅能靠着产品微缩进行升级,但以此方式可增加的新产能终究还是有限。
而NAND Flash部份也呈现类似现象,陈立白表示,据他了解,明年英特尔(Intel)新加坡厂投产的机会并不高。总和以上,预期明年记忆体在位元成长部份将会相当相当有限。
而从DRAM需求端来看,今年因来自于伺服器、Netbook的需求相当不错,复苏十分明显,虽桌上型电脑与NB表现平平,但整体需求已经较去年成长。不过预期明年桌上型电脑、All-in-ONE与NB需求将会相当不错,将有机会回复到2006年、2007年水准。
因此,陈立白表示,明年DRAM与NAND Flash出现需缺口的趋势几乎已经确定,预期从今年下半年起,将可走出为期两年的多头格局。
就近期DRAM价格走势而言,陈立白认为DDR2现货价格到了2美元之后,还有上涨空间,但要再大涨的机率已经不大。 NAND Flash部份,目前看来十月需求还是相当强劲,预期价格依然有撑。