NAND Flash缺货潮正炙热上演,NAND Flash大厂也加紧脚步进行制程微缩,为2010年高容量内存需求的来临作足准备。继美光(Micron)和英特尔(Intel)宣布要推动20奈米制程后,东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)也计划于2010年下半量产20奈米制程,位于日本四日市(Yokkaichi)四厂产能也将由目前8万片提升至将近20万片水平;内存业者认为,制程微缩带动成本下降,有助于固态硬盘(SSD)有更充分的竞争力卷土重来,也因应内嵌高容量内存的时代到临,2010年NAND Flash市场会很精彩。
2009年NAND Flash内存到了快年底了还在缺货,打破往年的传统,除了苹果(Apple)包产能效应外,智能型手机内嵌高容量内存的趋势,让NAND Flash产业成为最大受益者,尤其2008年半导体产业景气萧条,各厂都没有增加新产能,反而减产,导致2009年手机需求出笼后,NAND Flash产业供应链立刻反应供需吃紧,挤压现货市场的供应量。
NAND Flash大厂为了迎接高容量市场来临,也纷纷宣布2010年将进入20奈米市场。2009年进度最快的美光和英特尔,成功率先量产34奈米制程后,把三星电子(Samsung Electronics)和东芝甩在后面,年底也将准备进入20奈米制程,预计2010 ~量产。
除了英特尔和美光动作快之外,东芝也不甘示弱宣布,与合作伙伴新帝将于2010年下半正式量产20奈米制程。内存业者认为,东芝2009年下半才开始进入32奈米制程,原本计划年底前32奈米比重要超过50%,但目前量产速度似乎未如先前预期,如果2010年下半要进入20奈米,32奈米制程可能会成为过度制程。
龙头厂三星也看准2010年NAND Flash市场荣景,大手笔花费5亿美元,将美国德州Austin的8吋晶圆厂房,升级为生产12吋晶圆厂,且转投产NAND Flash产能,预计在2009年10月Austin的8吋晶圆厂将正式关厂,着手改建的动作,2010年下半年就可以正式加入NAND Flash量产的行列。
东芝也计划 鸲鞴擖诳日市(Yokkaichi)的四厂产能由目前8万片提升至将近20万片水平。内存业者解读为,三星和东芝的全球NAND Flash市占率距离越来越近,因此其中一方有增产的动作,另一方必定会跟进,否则2010年可能会出现龙头宝座易主之事。
模块厂认为,NAND Flash制程演进至20奈米制程后,可大幅改善SSD的成本结构,届时有机会从传统硬盘手上抢下部分市占率,但另一个不可忽视的应用,就是手机内嵌式市场的商机,从外接低容量记忆卡256MB、512MB当1~2GB,2009年开始内建高容量内存8GB~16GB,演进到32GB容量,2010年甚至会推出内建64GB内存的机种,是NAND Flash产业成长最大助力。
模块厂进一步表示,内建高容量内存的产品,其实早已普及于高阶的智能型手机,但现在趋势是连智能型手机价格降低,取代现有的一般手机,因此对于NAND Flash容量的消化,可谓相当惊人,配合2010年20奈米制程世代的NAND Flash产业来临,2010年内存市场会很热闹。