2009年NAND Flash制程技术以40奈米制程为主,只有美光(Micron)和英特尔(Intel)34奈米制程顺利量产,三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)都是年底量产30奈米世代产品,2010年NAND Flash产业主流预计会是30奈米,同时也逐渐往20奈米制程世代移动;而在终端应用方面,随着智慧型手机应用窜起后,预计手机应用在NAND Flash产业将是一枝独秀。
三星和东芝2009年下半都积极转往30奈米世代,但进度似乎不如预期,因此预计2010年30奈米技术才是NAND Flash主流,同步也开始导入20奈米制程,甚至30奈米制程可能成为过渡技术,2010年直接将主力放在20奈米制程,以防英特尔和美光的20奈米制程产品进度再度领先。
在终端应用方面,过去MP3播放器应用受惠苹果(Apple)的iPod系列带动下,占全球NAND Flash产能比重最高,随着插卡式手机的普及,外接microSD需求窜起,手机在今年的应用比重中,已开始超越MP3播放器,预计2010年手机应用占全球NAND Flash产能的比重会进一步增加,主要是受惠手机内建记忆体的风潮兴起之故。