日本媒体日刊工业新闻18日报导,东芝(Toshiba)与合作伙伴SanDisk将于明(2010)年下半开始量产20奈米(nm)等级(30nm以下)的NAND型闪存(NAND Flash)。
报导指出,东芝预估将在不大幅变更步进机等制造设备的前提下,将制程自32nm细微化至20nm等级,且随着将制程移转至20nm等级,东芝也计划将旗下四日市工厂第4厂房的晶圆处理能力最高提升至月产约21万片的水平。
报导指出,东芝拟藉由保持细微化技术的领先地位,来抗衡市占居全球首位的南韩三星电子;藉由细微化工程可提高每片晶圆所能取得的芯片数,进而增加成本竞争力。
报导指出,四日市工厂为东芝和SanDisk共同经营的工厂,该工厂已自今年7月开始量产最新的32nm NAND Flash,并计划于今年度末(2010年3月底)将32nm产品比重提高至65%。据报导,东芝竞争对手三星电子已于日前打出将于美国德州工厂增产30nm等级NAND Flash的计划。