三星传10-12月将月产2,000万颗40奈米制程DDR3

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-08-25 08:40

Korea IT Times 24日报导,三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)将在9月份生产150万颗采40奈米制程技术的DDR3 DRAM,并在10-12月期间月产2,000万颗该种DRAM。根据报导,三星大幅扩产DDR3 DRAM是为了满足伺服器供应商逐渐增温的需求。报导指出,40奈米DDR3 DRAM的耗电量较50奈米款式减少40%。三星电子曾于7月21日发布新闻稿宣布,业界首见采用40奈米制程技术的2GB DDR3 DRAM已开始量产。

iSuppli曾于8月19日发表研究报告指出,DDR3的短缺情况近来迫使部分PC OEM降低DDR3的采用量,并转而回到DDR2。 iSuppli认为,厂商限制资本支出将导致转换至50奈米制程技术的时间延后至2010年第1季,而直至那时为止DDR3供应也将持续吃紧。

根据于台北时间24日下午6时公布的报价,DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz报1.96美元,下跌1.5%;DDR2 1Gb 128Mx8 800MHz报1.52美元,下跌0.39%;DDR2 1Gb 128Mx8 eTT报1.51美元,下跌0.39%。

日本媒体日刊工业新闻8月10日报导,日本DRAM大厂尔必达(Elpida)预计将于今年Q4(10-12月)开始量产采用该公司新研发的40奈米(nm)制程技术的DRAM。报导指出,尔必达将活用现行50nm制程的制造设备,以将投资额压到最低限度;尔必达计画将旗下以65nm制程为主力的广岛工厂阶段性的变更至40nm制程,预估总投资额将压在1,000亿日圆以内。报导指出,和现行50nm制程产品相比,尔必达所研发的40nm制程产品的晶片(chip)尺寸缩小了30%、每片晶圆所能制造的晶片数则增加了40%;尔必达初期并将以2GB DDR3 DRAM为量产的主要对象。

 

 

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