爱特梅尔(Atmel Corporation)宣布推出400MHz ARM926嵌入式微控制器系列中的第一款产品SAM9G45,该元件支援第二代双倍数据速率DRAM (DDR2),并已针对大楼自动化系统、资料登入器(data logger)、销售终端机(POS)、警报系统和医疗设备等工业应用最佳化。
在周边部份,ARM926包含晶片上实体层且与ECHI相容之高速USB、双EBI、10/100乙太网路MAC、LCD和触控荧幕控制器、可编程的1.8或3.3V I/O供电电压,以及宽的资料频宽架构。
爱特梅尔ARM产品总监Jacko Wilbrink指出:“大多数基于ARM9之嵌入式微处理器仅支援SDRAM记忆体,但问题在于记忆体供货的情形,每每是由量大的PC市场所驱动,而SDRAM对于目前的PC而言,基本上已经是过时了。而且为了因应当前的经济危机,许多记忆体供应商都已停止其SDRAM厂的运作,所以我们预计未来SDRAM的供应量将会逐渐减少,而客户也因而也要面对相关的问题。相较之下,DDR2和DDR3能够提供更高的记忆体密度、更好的性能、更低的成本和更低的功耗,充分符合市场发展的方向。”
Jacko Wilbrink进一步指出,“现今,DDR3所需要的最小外部汇流排为300MHz,这对于大多数嵌入式微控制器而言太高了,所以DDR2是设计人员的最佳选择。我们认为DDR2将成为工业嵌入式市场的首选记忆体,因此才会积极主动地在基于ARM9之微控制器中整合DDR2。我们的客户现在可以使用AT91SAM9G45和其他即将推出、具DDR2功能之微控制器,顺利将其未来设计从SDRAM转向DDR2。”
新元件带有1.8或3.3V供电电压的整合式功率管理。由于大多数基于ARM9的微控制器最初都是为供电电压为1.8V的行动电话市场而开发的。为了适应工作电压通常为3.3V的工业应用,它们需要使用昂贵的外部功率管理IC和电平转换器。SAM9G45具有整合式功率管理功能、转换速率控制I/O和可编程的1.8V或3.3V电平,采用焊球间距为0.8mm之封装,可简化工业控制设计,并降低成本。
SAM9G45使用时脉速率为400MHz的处理器,带有支援133MHz之DDR2的双并行外部汇流排界面(EBI),并整合带有片上收发器的高速(480Mbps) EHCI相容之USB主机和设备埠、乙太网路MAC,用于MMC 4.3和SDIO/SDCard 2.0的两个介面,以及一个带有电阻性触控荧幕介面的CMOS相机和音讯的LCD控制器,是需要大频宽通讯、高密度资料储存和现代化图形使用者介面之嵌入式应用的理想平台。
AT91SAM9G45具有链结到处理器核心的记忆体管理单元的12层系统汇流排阵列,以及8个中央DMA通道;6个分别专用于视频编码器、LCD控制器、USB主机、USB设备、乙太网路MAC和影像感测器介面的高速DMA;21个周边DMA (PDC)通道;双EBI和片上分散式SRAM之小型模组,能确保以最小的处理器开销实现无间断的内部和外部资料流(data flow)。高资料速率道路架构(high data speedway architecture)使得SAM9G45能够执行100Mpbs以上的资料传送,以及实现平行计算密集资料处理的使用者介面。
在400MHz和1.0V核心电压下,SAM9G45功耗通常低于300uW/MHz。在RTC、一个计时器和四个32位元暂存器工作的备援模式下,其耗电量约为8uA。
此外,AT91SAM9G45的480Mbps高速USB提供了便于理解、易于使用的载体,能够处理多个系统之间和同一系统电路板之间的大量资料和互连。SAM9G45 USB主机与EHCI和OHCI标准完全相容,以确保经过验证的USB主机驱动程式能够直接移植到AT91SAM9G45之上。
SAM9G45已获得家开发工具、作业系统和协定堆叠供应商支援,包括Linux distributions、Windows Embedded CE、Mentor Graphics、Fluffy Spider Technology、QNX、Micrium、IAR、Keil, Segger、Adeneo和TimeSys等。