DRAM涨势 可望挺进至10月

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-08-07 08:15

 

    DRAM价格上涨走势欲罢不能,南科表示,由于产能不足、需求提升,加上DDR2的补涨效应,DRAM价格将一路挺进至10月,南科DDR3报价已经高于一线厂15%至20%。南科、华亚科将加速转进50nm的DDR3,华亚科估制程转换的资本支出将从今年2亿美元,攀升至明年13亿美元至14亿美元,并希望在2009年至2012年之间,将制程开发推进至40奈米,成本可望降至目前的20%。
    DDR3的供给持续吃紧,导致8月合约价欲小不易,南科副总经理白培霖表示,能生产DDR3的厂商不多,加上12吋厂减产效益仍在,因此 DDR3合约价至少上扬10%,DDR2则因为DDR3出现急涨走势,导致下游厂商回头采用DDR2,DDR2因此出现补涨走势,8月合约价甚至有机会大涨15%,涨幅超过DDR3。
    白培霖表示,目前很难预估DDR3的供需缺口,但是南科报价可以比其他大厂高出15%至20%,客户仍可以接受,因此南科乐观预期,DRAM价格将可一路挺进至10月份,对DRAM厂的营运有所帮助。
    根据南科观察,第三季需求比原先预估的好,以第一季来看,主机板的需求不佳,但是系统厂的状况,库存消化得差不多了,目前系统厂的库存均降得很低,因此第三季的景气还不错,不过,返校需求到目前为止,尚未见到。
    至于华亚科方面,总经理高启全表示,华亚科目标锁定2GB的DDR3,目前已经释出6.6万片的50nm机台订单,今年在50nm的投资约为2亿美元,明年将攀升至13亿美元至14亿美元,主要的投资落在铜制程、浸润式设备,根据高启全的预估,2009年至2010年将把制程全数转换为 50nm铜制程,同一片晶圆的产出提升一倍以上,而从2010年至2012年之间,将从50nm制程微缩至40nm,投资仅需再增加三分之一(估约5亿美元),产出再提升50%,换算成本为目前的20%。
    南科昨日也公布第二季财报,第二季ASP较第一季劲扬31%,因此第二季营收达80.85亿元,税后净损65.49亿元,虽然较第一季大幅收敛,但是与华亚科第二季净损41.12亿元合计,第二季台塑集团的DRAM事业赤字仍高达106.61亿元。
  台湾记忆体公司(TMC)已正式提出投资计划书,虽然计划书内容尚未曝光,但另一阵营也摩拳擦掌,准备在期限之前,递出投资计划书,华亚科总经理高启全表示,南科(2408)、华亚科(3473)、美光阵营,将会在规定期限之前,提出符合四大条件的投资计划书。
    高启全表示,美光阵营对TMC没有任何评论,但是以过去表现来看,美光技术一直领先三星电子,因此华亚科在同一片晶圆的成本上,是最低的,加上技术之后实力其实不弱,台塑集团将会结合美光公司,在截止期限之前,提出投资计划书,至于资金用途方面,不排除用在50奈米的投资上。
 
 

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