据统计第 2 季DRAM 合约价上涨 23%，现货价上涨 27%，带动全球DRAM 厂商第 2 季营收来到 40.43 亿美元，较第 1 季成长 27.1%。值得注意的是，韩厂第 2 季营收大幅回升，带动品牌市占率超越第 1 季的 49.9%，爬升至 第2 季 53.4%。
DRAM减产效应持续发酵，电脑系统厂商趁低价持续拉高库存水位，第 2 季 DRAM 合约季均价上涨 23%；现货供给也吃紧，DDR2 1Gb 667MHz 现货价格在 5 月一度站上 1.27 美元，市场人士更乐观期待，DDR2 1Gb 将在 6 月底站上 1.5 美元。
不过，5 月下旬，传出华邦电释出低价颗粒到现货市场，而使 6 月现货价格维持在 1.05-1.19 美元间盘整。整体而言，第 2 季 DDR2 1Gb 667MHz 现货季均价上涨 27%，约 1.12 美元。
在 DRAM 合约价上涨 23%，现货价上涨 27% 的带动下，全球各 DRAM 厂商第 2 季营收同步较第 1 季成长，幅度约在 10-50%，整体单季营收来到 40.43 亿美元，较 2009 年第 1 季上涨 27.1%。
若以全球 DRAM 厂自有品牌记忆体营收排名来看，据统计韩厂三星 (Samsung；005930-KR)在合约价上涨、制程转进以及提高 DDR3 的生产比例下，第 2 季 DRAM 营收涨幅高达 40.7%，来到 11.79 亿美元，市占率上升 2.8% 至 29.2%，稳占龙头宝座。
韩厂海力士 (000660-KR) 第 2 季 DRAM 营收在季均价上涨 20%、季位元成长 10% 以及 DRAM 单位成本下降影响下，单季营收上涨 31.5% 至 9.28 亿美元，市占率上升 0.7% 至 22.9%，位居 DRAM 产业营收第 2名。
日厂尔必达 (Elpida；6665-JP) 第 2 季营收涨幅高达 50.1%，一举拉开与美厂美光 (Micron；MU-US)的差距，位居 DRAM 产业营收第 3 名，主要受惠 DRAM季均价上涨 27% 以及位元成长 12%。
美光财报结算日期在 7 月初，其季营收是以 3、4、5 月 3 个月结算，因此合约均价与上季 (12、1、2月) 相较，仍下跌 2%。DDR2 1Gb667MHz合约均价在 3 月仅为 0.88 美元，而 6 月合约均价高达 1.16 美元，使得美光第 2 季营收上涨幅度较其他各国和地区 DRAM 厂为低，因此市占率由第 1 季的15.2% 跌至 13.6% ，为第 4 名。
台厂方面，南科 (2408-TW) 第 2 季营收约为 2.3亿美元，季成长 34.5%，主因合约与现货季均价上涨，以及其代工厂华亚科 (3474-TW) 产能利用率拉高所致，市占率位居全球第 5 名。
力晶 (5346-TW) 第 2 季营收成长高达 38.1%，主要受益于现货季均价大涨 27% 以及产能利用率从第 1季的 25% 拉升至 42%，因此本季市占率微幅成长。
至于华邦电 (2344-TW) 第 2 季公告营收约为 0.8亿美元，较第 1 季小幅成长 8.6%，成长幅度低于市场平均，市占率下跌至 2%。茂德 (5387-TW) 受惠价格上涨，第 2 季营收成长率达 20.9% 。
再从全球DRAM产业自有品牌各国和地区市占率来看，2009 年第 2 季在奇梦达宣告破产重整后，原来的 4.8% 市占率遭到分食，其中韩厂市占率较上季 49.9% 提升3.5 个百分点至 53.4%，已囊括超过一半的市场，稳居DRAM 产业的盟主；台厂因力晶及南科产能利用率提高，市占率从第 1 季的 13.5% 小幅上升至 13.8%；日厂由16.1% 提高至 18.9%；美厂则由 15.6%下滑至 13.9%。
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