DDR3带动DDR2上涨,预期DRAM合约价将高档震荡

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-08-03 13:44

 

    供需状况趋于平衡,DRAM现货价持续上扬,法人表示,由于DDR3价涨量缺,DRAM厂商转进DDR3生产,造成DDR2供给减少,进而带动两者报价纷纷上扬,预期第三季DRAM合约价将呈现高档震荡,惟上涨空间有限,台湾厂商仍不易转盈。
中午DDR2 1Gb ETT持续涨到1.29美元,涨幅1.25%,价格再创6月以来新高;DDR3 1Gb涨到2.1美元,再创新高,涨幅为0.57%。
DDR3相较DDR2具有运算速度快、及低耗电压的特性,由于culv平台成为NB品牌厂商下半年推广的主力产品,预期culv NB将于9月进入铺货高峰期,第三季将带动DDR3的需求。
法人表示,DDR3目前仅有国际大厂及台湾南科(2408)、华亚科(3474)具有生产实力,受惠于culv推出后,将造成ddr3供给吃紧,使得颗粒厂商纷纷转进ddr3生产,连带造成ddr2供给减少,进而带动两者报价纷纷上扬;另一方面,台湾厂商南科、华亚科转进50nm制程,及elpida进行65nm微缩制程,初期因具有良率问题,及可能产生晶圆报废的现象,都会形成短期供给短少现象。
不过,从需求面来看,由于大环境不景气,今年全球除了netbook仍有机会大幅成长超过100%外,根据mic的预估,desktop及传统nb预估分别衰退3.11%与9.83%,但全球netbook当道的同时,不光削弱了整体pc市场存储器的搭载量,无形中也阻碍了ddr3颗粒迈入主流之路。
尽管dram产业近期在culv及ddr3转进生产的利多刺激报价,但法人对后势报价上档空间仍持保留态度,预期今年力晶(5346)、南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)等DRAM厂持续亏损。
法人指出,颗粒厂商目前大多仍处于减产状态,而现阶段dram报价已来到厂商的现金成本1.2-1.3美元附近,一但价格回升到现金成本,将促使颗粒厂商重启产能,使得短期报价要大幅回升机率不高,预期明年也只有华亚科(3474)一家有机会挑战亏转盈。
 
 

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