美光推出增加伺服器记忆体容量和提升性能的新方法

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-08-03 08:09

 

 
美国商业资讯爱达荷州BOISE消息——美光科技股份有限公司(纽约证券交易所:MU)今日宣布生产出业界首款DDR3低负载双列直插记忆体模组 (LRDIMM),并将于今年秋季开始推出16GB版本的样品。透过减少伺服器记忆体汇流排上的负载,美光的LRDIMM可用以支援更高的资料频率并显著增加记忆体容量。
新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nmDDR3记忆体晶片制造。由于晶片的高密度和业界领先的小尺寸,使美光能够轻松并具成本效益地增加伺服器模组的容量。美光的2Gb 50nm DDR3产品目前正在进行客户认证,将很快进行量产。
如今多数中阶企业伺服器每系统使用大约32GB的DRAM记忆体,但根据Gartner公司近期的一份报告(2009年5月),此数字预计在2012年将增至三倍以上。随着伺服器制造商继续利用多核心处理器和资料中心选择有效率的虚拟化技术,记忆体要求达到前所未有的高度。透过增加伺服器系统具备的可用记忆体,系统能够同时执行更多的程式、更有效地处理更大的资料档案,通常呈现出更好的整体系统性能。
美光的LRDIMM目前使用Inphi近期推出的隔离记忆体缓冲 (iMB) 晶片而非暂存器,以在记忆体和处理器之间传输资料时减少汇流排负载。相较于目前标准的DDR3伺服器模组 -暂存式DIMM (RDIMM),美光新的双排LRDIMM模组可减少此负载50%,四排LRDIMM模组则可减少75%。透过减少汇流排负载,美光的LRDIMM使伺服器能够处理更高的资料频率,从而提高整体系统性能和支援更多的模组数量以获得更大的系统记忆体容量。
目前使用RDIMM的典型伺服器系统每个处理器最多可以容纳3个四排16GB RDIMM模组。不过,同样的系统每处理器最多可以支援9个四排16GB LRDIMM,使记忆体容量从48GB增加到144GB。与RDIMM的性能水准相比较,美光的16GB LRDIMM增加系统记忆体频宽57%。由于伺服器功耗仍是客户的首要考虑,美光的LRDIMM也将以业界最低的1.35伏电压运作。
美光DRAM市场行销副总裁Robert Feurle表示:“随着虚拟化的兴起,我们新的16GB模组使客户能够方便地扩大他们的记忆体容量。传统的RDIMM由于其负载情况限制了可以容纳的记忆体数量,而LRDIMM透过减少模组负载消除了该问题。由于我们的LRDIMM设计采用美光新的低功耗2Gb 50nm DDR3晶片,这减少了模组晶片数量,因此我们能够为客户提供更加具有成本效益和有效率的方法来提高伺服器记忆体容量和性能,同时还降低功耗水准。”
Inphi市场行销副总裁Paul Washkewicz表示:“采用此记忆体技术方式将进一步实现伺服器虚拟化和云端运算。此技术为资料中心伺服器提供迫切需要的更大频宽和记忆体容量。”
IDT 企业运算部副总裁兼总经理Mario Montana表示:“作为AMB+ 和 DDR3 暂存器/PLL这样低功耗记忆体周边设备的领导厂商,IDT很高兴再次将我们经过产业证明的技术和专长应用到这个针对DDR3 LRDIMM的新类别的记忆体缓冲区。我们很高兴与美光以及生态系统伙伴合作,为高性能运算市场实现创新的解决方案。”
产品供货
目前美光已经将8GB LRDIMM的样品提供部分选定公司。16GB LRDIMM的量产预计将于2010年开始。
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本新闻稿包含有关美光LRDIMMs和2Gb 50nm DDR3生产的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与这些前瞻性陈述所含内容产生显著差异。请参考美光公司在并表基础上不时向美国证券交易委员会呈报的文件,特别是公司最新的10-K表和10-Q表。这些文件含有并明确了可能导致公司在合并报表基础上的实际业绩与我们的前瞻性陈述中所含内容产生重大差异的重要因素(参见“已知因素”章节)。尽管我们认为前瞻性陈述中反映的期望是合理的,但我们不能对未来业绩、活动水准、表现或成绩做出保证。本新闻稿发布日期之后,我们不会为了使前瞻性陈述符合实际结果,而承担更新任何前瞻性陈述的责任。
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