DDR3明年初成为主流 法人看好华亚科胜出

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-07-24 09:57
DDR3持续火热,台湾法人即表示,在三星(Samsung)态度推动态度积极、且CULV平台对低功耗的DDR3 需求产生推波助澜效果,预期今年年底渗透率将突破40%,可望于明年初正式取代DDR2 成为市场主流。而华亚科(3474)、南科(2408)透过发行GDR、私募等方式引进资金,已顺利转进50奈米制程,在DDR3成为主流后,将可望在台湾DRAM厂商中胜出,成为最主要受惠者。
DDR3于去年开始进入市场,但因景气衰退且价格昂贵,PCNB OEM厂采用意愿低落,到今年初渗透率仅达10%左右。然在Samsung 态度越趋积极、加上CULV 大幅增加对低电压的DDR3 需求,今年第二季DDR3渗透率已快速攀升至20%,市场预期到今年底将突破40%,明年初可望正式取代DDR2 成为市场主流。
然而短期内DDR3 供货商仍以三星、尔必达(Elpida)、美光(Micron)等技术母厂为主,供需相对吃紧,预估3Q DDR3 报价易涨难跌,主流颗粒1Gb 将朝2 美元挺进;反观DDR2 短期则于低档震荡,随厂商转进DDR3生产比重拉高,预计破底机率不高。
法人表示,此波DRAM景气衰退始自2006年底,期间已经淘汰奇梦达(Qimonda),至于茂德(5387)、力晶(5346)等台湾DRAM厂,因为负债问题依然严重,仍需争取如国发基金资金或筹资等金援,根本无力发展50奈米制程竞赛。反观南科及华亚科随近期募资计划顺利展开,50奈米制程移转已经步入轨道,在DDR3 成为主流颗粒后,将在台湾DRAM厂商中胜出,成为最主要受惠者。
 

 

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