需求推动DRAM厂加快转进DDR3南科、尔必达最积极

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-07-22 17:55


      由于第4季各家电脑系统厂商计画30%甚至70%  不等的机种采用DDR3记忆体,集邦科技指出,DRAM 原厂也在客户的要求下,加快DDR3的转进计画,其 中南科第4季以美光技术生产的DDR3比重将达90% ,而日厂尔必达第4季也将达到55%。
    集邦科技表示,韩系厂商三星(Samsung;005930- KR)与海力士(Hynix;000660-KR)方面,转进速度与产量方面皆具竞争力,不光制程方面已经切入50奈米世代制程,40奈米世代制程DDR3也预计在2010下半年小幅量产,今年第4季投片将有35-40%比例是DDR3颗粒. 而日系厂商尔必达(Elpida;6665-JP)方面,虽然今年大部分产出量都将以65奈米制程来生产,但对DDR3的转进上,态度却比韩系厂商更为积极,至第4季为止,预估DDR3投片量将占DDR2+DDR3总投片的50%。

 同时,为加强在未转进50奈米期间的竞争力,尔必达目前正在积极开发60奈米制程的DDR3新颗粒,新60奈米可在不用浸润式机台下增加约20%左右的产出量,可拉近与韩系厂商50奈米的成本差距。台系厂商方面,南科(2408-TW)、华亚科(3474-TW)目前皆是以奇梦达(Qimonda) 70奈米制程技术来生产DDR3颗粒,在下半年技转的美光(Micron;MU-US) 68奈米制程乃至50奈米制程,将全数生产DDR3,因此若南科Fab3A于第4季投片90%以美光技术,DDR3比例也将达90%。至于台系厂瑞晶(Rexchip),每月已有少量开始投片DDR3,力晶(5346-TW)仍取决于现货市场状况而定。


 

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