三星引爆制程大战 本土四大DRAM厂新技术布局

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-07-20 14:08

全球内存芯片龙头韩国三星传出下半年将投入至少1兆韩元(约折合7.9亿美元),发展DRAM与NAND Flash(快闪内存)技术,再度引爆内存业制程大战。

相较于三星大规模投入资金发展先进制程,台湾DRAM厂当前仅南科、华亚科仍有余力投资新世代技术;力晶虽然协作伙伴尔必达(Elpida)有技术,但碍于当前财务状况吃紧,今年暂无导入新制程规划。

投信法人指出,三星现阶段财务状况最好的内存芯片厂,随其积极投入新制程研发,将对同业造成不小压力,尤其当前部分台湾DRAM厂面临资金水位偏低窘境,在优化自身财务结构之余,还要面对三星的技术挑战,产业后续变化值得关注。

外电报导,三星正积极规划投入40奈米DRAM制程与30奈米NAND型快闪内存制程技术,预计在下半南投入至少1兆韩元。

三星半导体部门总裁Kwon Oh-hyun证实,该公司确实有提高下半工龄本支出的计画。不过,由于现阶段内存产业仍尚未脱离衰退阴霾,因此对扩充产能将持更谨慎的态度。

三星预计在24日公布第二季财报,但该公司已在本月初破天荒首度揭露第二季营运预估,估计合并营收约介于31兆至33兆韩元,合并营业利益则在2.2兆至2.6兆韩元,都比市场分析师预期来得出色。

尽管现阶段内存价格仍未有显着转强态势,但已有部分分析师认为市场状况将可望逐步优化。

台湾DRAM厂 皮绷紧

三星传出下半年将投入大笔资金发展内存先进制程,对于台湾DRAM厂来说,又将面临一次严峻的考验。

DRAM厂当前最欠缺的就是金援,以现在全球DRAM业者来看,很难靠一己之力对外筹资。也因此,包含韩国、日本等国政府都已出手金援,相形之下,台湾DRAM厂迄无政府资金奥援,俨然落居劣势。

由于资金压力紧迫,加上政府产业再造计画仍没有进一步具体动作,甚至连政府挹注TMC资金都还没到位,近期台塑集团旗下南科、华亚科已抢先发动募资计画,将有助提升台湾DRAM 产业竞争力与韩系业者势力抗衡。

伴随南科与华亚科陆续对外募资,银弹陆续上膛后,未来发展新制程之路也将比其他同业更形顺利;而在台塑集团已表态不添加TMC联盟下,未来两大阵营之间的角力,将成为市场瞩目的焦点。

 

 

 

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