DRAM合约价续看涨,现货价待Q3需求带动

存储器 中国闪存市场 jane 2009-06-22 17:15

     上周DRAM现货价触底反弹,合约市场表现相对强势;韩国DRAM大厂海力士计画于本月底持续调涨DRAM合约价,本土以合约市场为主的南科(2408)也拟持续调涨合约价格,法人估本月下旬合约价仍有机会缓升,现货市场则待第三季旺季带动。

      由于需求乏力以及供给增加,上周DRAM回测1美元关卡后反弹,据最新报价,现货价仍在低档整理;上周五DDR2 1Gb 667MHz及DDR2 1Gb eTT分别下跌1.10%及1.12%,价格收在1.08美元及1.06美元,低于本月上旬合约价的1.16美元。

     虽现货市场表现疲软,合约价仍维持涨势;韩国DRAM大厂海力士计画在6月下旬将DRAM合约价再提高10%;据指出,海力士(Hynix)自3月起每个月均将DRAM价格调高10%。

      若PC制造商同意涨价,则Hynix的指标1Gb DDR2颗粒售价将在6月底调高至1.4美元左右。
      法人表示,现货市场不振,显示需求不佳,加上近期全球DRAM厂产能利用率提升,供给增加下,DRAM价格的拉升动能有限,惟下游厂商将为第三季的旺季回补库存,预期6月下旬的DRAM价格有机会呈现缓步上扬。

      预期合约价续涨,出货量增加,本月南科(2408)、华亚科(3474)、力晶(5346)等营收持续成长;今日南科、华亚科、茂德(5387)均走扬,仅力晶持续受到打入全额交割冲击。

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