记忆体6月上旬合约价一涨一跌 NAND下跌1-6% DRAM涨2

存储器 中国闪存市场 jane 2009-06-10 07:57

      6 月上旬记忆体合约价两样情,NAND Flash 主流高容量 MLC 颗粒价呈现小幅下跌1-6%,DRAM DDR2 1Gb颗粒价则仍上扬 2-6%。NAND Flash 主要受到季底和淡季效应影响,预期在苹果电脑 (Apple;AAPL-US) 新 iPhone 产品的激励下,短期将持平或部分回软,待旺季备货需求回温,可望止稳回升。
 
      5-7 月为 NAND Flash 应用产品如记忆卡及 UFD 的传统淡季,市场需求比较清淡,加上部分记忆卡业者库存水位已达 1 个月以上 面临 6 月季底,基于降低库存的考量,下游客户采购意愿变低,供应商也面临降低库存压力,趁 Computex 进行促销刺激买气,因此主流 MLC 合约价呈现小跌。

      DRAM 合约价部分,技报价显示6 月上旬合约价又涨,涨幅区间 2-6%,其中 DDR2 1Gb 颗粒系列均价由 5 月下旬 1.13 美元来到 1.16美元,均价涨幅 2.65%。至于 DDR2 1GB 和 DDR2 2GB模组价格,分别由 10.5 美元和 21 美元,再度上扬至 10.75 美元和 21.5 美元,均价涨幅 5.26%。

     DDR3 2GB 模组合约价同步上扬,由下旬 22 美元上涨至 23 美元,高低价区间则为 21-24 美元,与DDR2 2GB 模组价高低价区间 20-23 美元仍仅维持微幅差距。

      DRAM 现货价方面,市场需求依旧相当疲弱,报价和询价明显减少,交易量清淡,使整体价格持续下滑,距现金成本 1.2 美元越来越远,DDR2 1GbeTT 来到 1.12 美元,DDR2 1Gb 667MHz 和 DDR2 1Gb800MHz 分别为 1.13 美元和 1.14 美元。

     DDR31Gb 1066MHz 和 DDR3 1Gb 1333MHz 今 (9) 天均价分别来到 1.51 美元和 1.58 美元,单日微幅上涨 0.25%,显示 DDR3 需求似乎较 DDR2 佳。

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