DRAM续涨 南科华亚科乐

存储器 2009-05-19 07:53

DRAM大厂再传酝酿涨价,全球第二大记忆体晶片厂韩国海力士(Hynix)继本月上旬涨价5%后,计划下旬再涨10%。台湾的南科(2408)、华亚科(3474)等本月已涨价15%至20%;南科更认为,6月还有涨价空间,将使DRAM厂摆脱淡季束缚。


价格回稳走扬之际,南科阵营近期同步转换新制程,目标是成为全台最早跨入50奈米世代量产的DRAM厂,藉此降低成本,提早达到损益平衡点之上。

南科已导入美光(Micron)68奈米制程,预计第三季再转进50奈米世代;华亚科也正转进50奈米制程技术,估计可比70奈米增加一倍产出,大幅降低成本,预计第三季起完成转换,分七期完成13万片全产能生产。

外电报导,海力士本月初已调涨DRAM价格5%,本月下旬将持续涨价10%。为专注半导体前端开发制造与研发投资等领域,海力士也宣布将出售3.05亿美元封装测试设备,给海力士的中国合资公司无锡工业开发集团。

台湾DRAM厂已提早一步调涨价格,台湾最大DRAM合约供应商南科发言人白培霖昨天表示,本月已如期涨价15%至20%。白培霖认为,由于市场供给仍相当紧缩,价格上涨趋势应该会一直持续到第三季,价格将很快达到现货生产成本。

南科阵营近期营收逐步回温。南科4月营收26.47亿元,较3月成长19.2%,创今年单月的新高;华亚科4月营收23.87亿元,较3月成长32%,表现居本土DRAM厂中最佳,预期在价格持续上扬及新制程成本优势带动下,营运将同步回升。本月上旬1Gb DDRII DRAM合约价涨幅约在6.8%至12.2%,均价为1.06美元,相较之下,现货价格在1.3美元左右,一般预期合约价格本月下旬将可拉近与现货价差距,之后现货价将再酝酿一波涨幅,挑战达业界损平平衡的1.5美元。

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