DRAM供给缓增 价格硬挺

存储器 中国闪存市场 2009-05-12 14:19

全球记忆体晶片龙头韩国三星昨(11)日表示,今年全球DRAM出货量年增率约仅10%至15%,远低于预期。投信法人认为,在市场供给成长有限下,伴随微软新作业系统Windows 7上市后带来的需求潮,将有助持续推升DRAM价格走势。

根据最新报价,1Gb DDRII有效测试颗粒(eTT)价格昨天小涨0.29%,均价为1.34美元,持续改写去年第三季末以来新高,5月以来涨幅已近一成,已让力晶(5346)、瑞晶等大厂转为现金流入。

外电报导,三星在接受媒体访问时透露,今年全球DRAM出货量年增率仅10%至15%;NAND晶片年增率则在25%至30%。三星并预期,今年全球个人电脑(PC)出货量将年减5%左右,手机出货量则将年减6%至9%。

三星在去年第四季的法说会时曾预估,今年全球DRAM市场出货量年增率将达45%左右,如今大幅下修至10%至15%;业界认为,由于各大DRAM厂今年都缩小资本支出,新增加的产出,多半靠制程提升至50奈米所贡献,并无实质新增产能,在新机台所费不赀下,自然抑制产出量急缩。

而在微软Windows 7即将问世,配合新作业系统对多媒体等应用增加,所需的DRAM也将提升,将有助需求放大。以Windows 7的“XP模式”为例,建议搭载DRAM容量便达2GB,若要使操作更顺畅,更要达3GB以上的容量,在需求量可能增加、但供给量有限下,有助推升价格走势。

DRAM厂目前对后市普遍抱持正向看法。南科(2408)认为,DRAM价格可望在第二、三季逐步转好,有助本业营运状况,不过第四季目前“还无法预测”。南科今年产出年增率估计约37%,将视产业状况调整。

力晶日前公布季报时曾表示,近期DRAM现货价站稳1.2美元以上,已使力晶现金开始流入,因此上季在减产效应下,亏损缩减,若本季价格持续走扬,对其现金流出压力将大幅减轻。

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