记忆体大厂持续减产,加上市场需求逐渐增温,DRAM、Flash(快闪记忆体)现货价昨(14)日同步上涨,且均创下近月来波段新高;业界预期,近日将开出的合约价将受激励上扬,有助减缓台湾DRAM厂现金流出速度,模组厂的库存回冲利益也持续攀升。
根据最新报价,DRAM主流规格DDR2 1GB ett(有效测试颗粒)现货价,每颗价格回升至1.06美元、DDR2 512MB ett颗粒价亦站回0.46美元;三星Flash记忆体32GB MLC(多层单元规格)价格也分别涨到8.71美元,创近月新高。
DRAM业者表示,台湾岛内外DRAM厂持续减产,市场先前库存大减,且近期亚太地区市场需求强劲,通路商、系统商为免下半年旺季供货时断炊,近期逐渐增备库存,带动现货行情走高。
在台湾岛内厂家,力晶(5346)、南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)目前仍处于减产状态,力晶、茂德减产幅度超过五成,南科、华亚科估计减产约二成。
岛外厂商方面,包括南韩三星(Samsung)与海力士(Hynix)、日本尔必达(Elpida)、美国美光(Micron)等,在不堪长期亏损、现金流出下,目前平均减产一到二成。
中国大陆的家电、PC下乡政策,带动亚太地区对记忆体需求转强,激励现货价格近期向上走扬,系统厂也扩大备货下单,带动合约价格开始上调,海力士、南科等合约大厂,目前传出下旬合约价仍有调升空间。

